(现代功能材料课件)第一章材料的电子结构与物理性能.pptx

第一章　材料的电子结构与物理性能Chapter 1 Electronic Structure and Physical Properties of Materials;重要的关系： 　电子结构——物理性能 举例： 　电子结构和电子运动状态与固体材料导电性的关系。;一、原子的微观结构 ;一、原子的微观结构 1.主量子数 n (n =1、2、3、4……) 　　 主量子数确定核外电子离原子核的远近和能级的高低。 2.次量子数 l (l = 0、1、2、3……) 　 次量子数反映的是电子轨道的形状。 在由主量子数n确定的同一主壳层上的电子的能量有差异，可分成若干个能量水平不同的亚壳层，其数目随主量子数而定，习惯上以s、p、d、f 表示 。　　 3.磁量子数m (m = 0、±1、±2、±3……) 　 磁量子数表示电子云在空间的伸展方向，它确定轨道的空间取向。 4.自旋量子数ms (ms = +1/2、-1/2) 　 自旋量子数表示在每个状态下可以存在自旋方向相反的两个电子。;第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.1 原子的电子排列 ;各电子壳层及亚壳层的电子状态; ; ;;第二节　固体的能带理论与导电性 ;;能级与能带;　 对于晶体（由大量原子组成）： 各个原子的能级因电子云的重叠产生分裂现象。 在由N个原子组成的晶体中，每个原子的一个能级将分裂成N个，每个能级上的电子数不变。 能级分裂后，其最高和最低能级之间的能量差只有几十个eV。 　 例如，当实际晶体即使小到体积只有1mm3，所包含的原子数也有N=1019左右，当分裂成的1019个能级只分布在几十个eV的范围内时，每一能级的间隔就非常的小。 电子的能量或能级几乎就是连续变化的，于是形成了能带。　　 能带之间也存在着一些无电子能级的能量区域，称为禁带或能隙。 　 禁带也是电子能量的“真空”地带。; ;; ; 电荷载流子 定义：载带电荷运动的粒子称为电荷载流子。 基本类型： 　　① 电子和阴离子　负电荷载流子，也称为负型载流子。 　　② 阳离子　正电荷载流子，也称为正型载流子。如Pb2+。 　　③ 空穴　正电荷载流子。在半导体中尤为重要。 电导率和载流子： 载流子迁移率：在外加电场作用下，载流子在原子尺度的结构中移动的难易程度，即： 电导率：由载流子浓度n、每个载流子所带电荷q、载流子迁移率? 决定，即： ; ; ;;金刚石（C）、硅（Si）和锗（Ge）的能带结构;Si的能级与能带;Si的能级与能带;导体、半导体和绝缘体的能带结构 （ Ev代表价带的最高能量， Ec代表导带的最低能量，Ef是费米能）; ; ; ;;半导体材料的能隙与电子运动性; 本征半导体的电导率与温度的关系 当温度升高，价带中电子热运动加剧，使电子能够获得更高的能量，从而使跃迁到导带的电子数增加，电荷载流子数随之增加，最终使电导率增大。 　本征半导体的电导率： 　结论： 　本征半导体的电导率受温度影响很大，随温度的升高呈指数增长。 　 　 通过测定半导体材料的电导率和温度的关系可以求出其禁带宽度Eg。 ; ;二、掺杂半导体 　 本征半导体的电导率随温度而变，不易控制，难以做成器件使用。 　 在本征半导体中掺入一定的杂质元素（如周期表中的VA、IIIA的元素），使其变成掺杂半导体，可以改变能带中的电子浓度或空穴浓度。　　 掺杂半导体的特点： 导带电子或价带空穴可以独立改变，即电子浓度和空穴浓度可以不相等。 掺杂后将导致导带电子浓度增加或价带空穴浓度增加，前者掺杂形成的半导体称为n型半导体，后者掺杂形成的半导体称为p型半导体。 随着掺杂半导体中掺杂杂质元素和数量的不同，费米能级不再位于禁带中央，或者向上方移动（如n型），或者向下方移动（如p型）。; n型半导体 基本定义： 当在纯净的硅(或锗)中掺杂施主杂质时，半导体则主要依靠施主提供的电子导电，此即n型半导体。 特点： 施主杂质提供的额外电子不能位于价带中，而只能位于靠近禁带的顶部。 额外电子与原子结合不够紧密，能量较高，只需外界施以较小的能量就可以进入导带。 额外电子进入导带需要克服的能垒为Ed ，通常称为施主能级。它比较接近导带底的能量。 控制n型半导体电导率的是Ed 而非是Eg 。;; 载流子的浓度： 式中：第一项为施主杂质的电子浓度，第二项为无杂质纯半导体的电子和空穴浓度，n0d 和n0均大致为常数。 施主耗尽： 　 在n型半导体中，当温度升高时，有越来越多的施主杂质