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第五章 MOS场效应晶体管 § 5.1 MOS场效应晶体管的结构和工作原理 1．基本结构 上一章我们简单提到了金属－半导体场效应晶体管（即MESFET），它的工作原理和JEFET的工作原理有许多类似之处。如果在金属－半导体结之间加一层氧化物绝缘层（如SiO2）就可以形成另一种场效应晶体管，即金属－氧化物－半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，缩写MOSFET），如图所示（P172）。 MOS管主要是利用半导体表面效应而制成的晶体管，参与工作的只有一种载流子（即多数载流子），所以又称为单极型晶体管。在双极型晶体管中，参加工作的不仅有多数载流子，也有少数载流子，故称为双极型晶体管。 本章主要以金属―SiO2―P型Si构成的MOS管为例来讨论其工作原理。器件的基本参数是：沟道长度L（两个结间的距离）；沟道宽度Z；氧化层厚度；漏区和源区的结深；衬底掺杂浓度等。 MOS场效应晶体管可以以半导体Ge、Si为材料，也可以用化合物GaAs、InP等材料制作，目前以使用Si材料的最多。MOS器件栅下的绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等绝缘材料，其中使用SiO2最为普遍。 2．载流子的积累、耗尽和反型 （1）载流子积累 我们先不考虑漏极电压，将源极和衬底接地，如图所示。如果在栅极加一负偏压（），就将产生由