垂直腔面发射激光器热场特性分析.PDFVIP

研发埠 本文摘自《微纳电子技术》 垂直腔面发射激光器热场特性分析 刘立新，赵红东，曹萌 （河北工业大学信息工程学院，天津300130） １引言 垂直腔面发射激光器 （ＶＣＳＥＬ）是一种新型的半导体激光器，由于它的谐振腔很短且垂直于 衬底方向，因而具有易于单纵模工作、小的光束发散角、非常低的阈值和易于二维集成的优点， 在光通讯、光计算、并行光信号处理及光集成元件等领域都有广泛的应用前景［１，２］。 在半导体激光器中，由于电流的注入和器件结电阻、体电阻等原因而使器件产生热量［３］，热 量的流动形成温度分布。连续波工作时，ＶＣＳＥＬ有源区在阈值处的温度估计比衬底高２５～ ３０℃。温度的升高会使激射波长向长波长方向移动，使阈值电流增加和器件的工作寿命降低。 所以温度在决定ＶＣＳＥＬ的特性中起着重要作用。 ２理论模型 ２．１激光器结构 图１为ＶＣＳＥＬ的结构示意图［４］。ｎ型和ｐ型的布拉格反射镜（ＤＢＲ）分别由３０个和 ２