7 薄膜制的备技术.ppt

制备微弧氧化陶瓷膜有多种方法，一般来说，根据所采用的电解液的酸碱性可分为酸性电解液氧化法和碱性电解液氧化法。酸性电解液对环境存在一定的污染。国内的研究单位大多采用碱性溶液作为电解液来制得微弧氧化陶瓷膜。根据所使用的电源模式的不同，可将微弧氧化电源分为直流、交流和脉冲三种。其中国内的研究工作以交流模式为主。 化学镀 电化学沉积 利用在特定的电解液中的电解反应，在底板的衬底上进行镀膜的方法。络盐镀膜层密但价格贵、毒性大。 利用还原剂在镀层物质的溶液中进行化学还原反应，并在衬底表面得到镀层的方法。 无机材料或高分子聚合物溶解，制成均匀溶液，将干净的玻片或其它基片插入溶液，或滴数滴溶液在基片上，用离心甩胶等方法敷于基体表面形成胶体膜，然后进行干燥处理，除去溶剂制得固体薄膜。 溶胶-凝胶法 利用有机分子的表面活性(存在亲水基和憎水基)，在液-气界面形成分子定向排列的单层分子膜，并将该膜层逐次转移到固体衬底表面，形成单层或多层类晶薄膜的方法。 LB膜技术 思考题 ???? 什么是物理气相沉积（PVD）成膜技术？主要有哪些工艺类型？分别简述其工艺原理并比较各自的优缺点及应用范围。 什么是化学气相沉积(CVD)？请说明化学气相沉积基本过程。 （3）离子束辅助沉积 低能的离子束1用于轰击靶材，使靶材原子溅射并沉积在基底上； 离子束2起轰击（注入）作用，同时，可在室温或近似室温下合成具有良好性能的 合金、化合物、特种膜层，以满足对材料表面改性的需要。 4）离子镀的应用 7.3 化学成膜 有化学反应的使用与参与，利用物质间的化学反应实现薄膜生长的方法。 化学气相沉积(CVD – Chemical Vapor Deposition ) 液相反应沉积(液相外延) 7.3.1 化学气相沉积 气相沉积的基本过程包括三个步骤：即提供气相镀料；镀料向镀制的工件或基片输送；镀料沉积在基片上构成膜层 气相沉积过程中沉积粒子来源于化合物的气相分解反应，因此，称为化学气相沉积（CVD），否则，称为物理气相沉积（PVD）。 CVD与PVD的不同处：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应 1. 化学气相沉积的基本概念 （1）原 理 TiCl4 +CH4 ——?TiC? +4HCl （2） CVD薄膜生长过程 反应气体向衬底表面输运扩散； 反应气体在衬底表面吸附； 衬底表面气体间的化学反应，生成固态和气态产物，固态生成物粒子经表面扩散成膜； 气态生成物由内向外扩散和表面解吸； 气态生成物向表面区外的扩散和排放。 （3） CVD条件与影响因素 （1）CVD条件 除沉积的薄膜外，反应生成物均须是气态 沉积薄膜的蒸汽压要足够低 反应只在衬底及其附近进行 沉积温度下，衬底材料的蒸汽压足够低 衬底表面要有足够的反应气体供给 （2）影响因素 沉积温度；反应气体配比；衬底 （4） 分 类 通常CVD的反应温度范围分为低温（200-500 ℃ ）、中温（500-1000 ℃ ）、高温（1000-1300 ℃ ）； 中温CVD的反应温度500-800℃ ，通常通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现，也叫金属有机化合物CVD（MOCVD）； 等离子体增强CVD（PCVD）、激光CVD（LCVD）中化学反应被激活可使温度降低。 2. CVD的化学反应和特点 反应方式 特点 反应举例 热分解反应 在简单的单温区炉中，在真空或惰性气氛中加热衬底至一定温度，通入反应气体，流经衬底表面的反应气在衬底表面分解，产生所需的固态生成物沉积于衬底上形成薄膜。主要反应物材料有：金属有机化合物、氢化物，金属卤化物，硼的氯化物、氢化物，Ⅳ族氢化物、氯化物，Ⅷ族的羰基氢化物、氯化物及一些气态络合物、化合物等。 SiH4 ———?Si? + 2H2 Ga(CH3)3 +AsH3 ——? GaAs ? + CH4 AlCl3.NH3 ———?AlN ? + 3HCl 700-1000 ℃ 630-675 ℃ 800-1000 ℃ 反应方式 特点 反应举例 合成反应 由两种和两种以上气态反应物在热的衬底表面发生反应，生成且只生成一种固态生成物。它与热解相对。一般，涉及两种以上反应物的CVD反应均可认为是合成反应，如氧化反应、还原反应。 3SiCl4 +4NH3 ——?Si3N4? +12HCl 2TiCl4 +N2 +4H2 ——?2TiN? + 8HCl 氧化还原反应 氧化和还原两种反应的统称，在反应中涉及到元素化合价的升降。一些热分解反应也属于此类 SiHCl3 +H2 ——?Si? + 3HCl SiH2Cl2 ——?Si? + 2HCl 水解反应 以水汽与气态源物质反应，生成固态氧化物 SiCl4 +2H2O —