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半导体制程简介 基本过程 晶园制作 Wafer Creation 芯片制作 Chip Creation 后封装 Chip Packaging 第1部分晶园制作 1.1 多晶生成 Poly Silicon Creation 1 目前半导体制程所使用的主要原料就是晶园(Wafer)，它的主要成分为硅(Si)。 富含硅的物质非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分为二氧化硅(SiO2)。 沙子经过初步的提炼，获得具有一定纯度的硅，再经过一些步骤提高硅的纯度，半导体制程所使用的硅需要非常高的纯度。 接着就是生成多晶硅(Poly Silicon)。 Poly Silicon Creation 2 采用一种叫做Trichlorosilane的物质(SiHCl3)作为溶剂，氢气作为反应环境，在钽(tantalum)电热探针指引下，经过初步提炼的硅形成晶体。 这种过程需要多次，中途还会用到氢氟酸(HF)这样剧毒的化学药品，硅的纯度也随着这个过程而进一步被提高。 最后生成多晶硅的硅锭。 PolySilicon Creation 3 1.2 单晶制作 Crystal Pulling 1 多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象地称作拉单晶(Crystal Pulling)。 将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到1400°C，注意反应的环境是高纯度的惰性气体氩(Ar)。 精确的控制温度，单晶硅就随着晶种被拉出来了。 Crystal Pulling 3 1.3 晶园切片 Wafer Slicing 单晶硅具有统一的晶向，在把单晶硅切割成单个晶园(Wafer)的时候，首先要在单晶硅锭上做个记号来标识这个晶向。 通常标识该晶向的记号就是所谓Flat或者Notch (平边、凹槽)。 6’ Wafer 6’的晶园通常采用所谓“平边”的方法来标识晶向。 8’ Wafer 8’的晶园采用Notch。 12’, 16’,…… Wafer 采用Notch，为什么呢？——猜想。 1.4 晶园抛光 Lapping Polishing 切片结束之后，真正成型的晶园诞生。 此时需要对晶园的表面进行一些处理——抛光。 主要的步骤有以下几步： 机械研磨(使用氧化铝颗粒) 蚀刻清洗(使用硝酸、醋酸、氢氧化钠) Wafer抛光(化学机械研磨，使用硅土粉) 表面清洗(氨水、过氧化氢、去离子水) 1.5 晶园外延生长 Wafer Epitaxial Processing 经过抛光，晶园表面变得非常平整，但是这个时候还不能交付使用。 半导体工业使用的晶园并不是纯粹的硅晶园，而是经过掺杂了的N型或者P型硅晶园。 这是一套非常复杂的工艺，用到很多不同种类的化学药品。 做完这一步，晶园才可以交付到半导体芯片制作工厂。 Reduction of Grown-in Defects Typical LSTD Images in Wafers 第2部分芯片制作 2.1 氧化层生长 2.2 有关Photo 什么是Photo？ 所谓Photo就是照相，将光罩的图形传送到晶园上面去。 Photo的机器成本 在半导制程中，Photo是非常重要的一个环节，从整个半导体芯片制造工厂的机器成本来看，有近一半都来自Photo。 Photo是半导体制程最主要的瓶颈 Photo制约了半导体器件——线宽。 光罩制作 Mask Creation Photo的工作和照相类似，它所使用的“底片”就是光罩，即Mask，通常也被称为Reticle。 光罩就是一块玻璃板，上面由铬(Cr)组成图形，例如线条、孔等等。 制作光罩需要用到Laser Writer或者E-beam这样的机器，非常昂贵(这一部分不算入Photo的机台成本)，一般需要专门的光罩厂来制作。 光罩上的图形信息由CAD直接给出，这些CAD的信息(即半导体芯片的设计)由Design House提供。 2.3 Photo的具体步骤 光刻胶涂布 Photo Resist Coating 曝光 Stepper/Scanner Exposure 显影和烘烤 Develop Bake 光阻涂布 Photo Resist Coating 在Photo，晶园的第一部操作就是涂光阻。 光阻是台湾的翻译方法，大陆这边通常翻译成光刻胶。 光阻涂布的机台叫做Track，由TEL公司提供。 光阻涂布的是否均匀直接影响到将来线宽的稳定性。 光阻分为两种：正光阻和负光阻。 一般而言通常使用正光阻。只有少数层次采用负光阻。 曝光 Exposure 曝光动作的目的是将光罩上的图形传送到晶园上。 0.13um，0.18um就是这样做出来的。 曝光所采用的机台有两种：Stepper和S