交变电场下SiC／Ti扩散连接过程中原子扩散和-哈尔滨工业大学学报.PDF

第４８卷　 第 １１期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ４８ Ｎｏ１１ 　 　 ２０ １６年１１月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｎｏｖ． ２０１６ 　 　 　 　 　 　 ｄｏｉ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１６．１１．０１０ 交变电场下ＳｉＣ／ Ｔｉ扩散连接过程中原子扩散和界面反应 孙东立，张宁波，王　 清，李其海，韩秀丽 （哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院，哈尔滨 １５００９０） 摘　 要：为研究交变电场对界面处原子扩散行为及界面反应的影响，将交变电场引入ＳｉＣ 与Ｔｉ 的扩散连接过程，采用扫描电 子显微镜（ＳＥＭ）、能谱仪（ＥＤＳ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及剪切性能测试等手段研究了交（直）流电场及电场强度对ＳｉＣ／ Ｔｉ扩散连 接界面结构、原子扩散、剪切强度的影响，探讨了电场辅助扩散连接的物理机制． 研究结果表明：在空洞闭合阶段，电压会使得 界面处产生极大的镜像吸附力，使两个表面结合更加紧密，界面吸附力随着外加电压的增大和界面间距的减小而增大；在扩 散反应阶段，施加电压会使界面处原子扩散通量增加，即外电压会促进ＳｉＣ和Ｔｉ扩散连接界面处原子的扩散，电压越大，促进 作用越明显． 直流电压作用下扩散连接界面有正负极效应，而交流电压作用下无此效应． 在９５０ ℃／ １．５ｈ／ ７．５ ＭＰａ条件下施加 ＋ ４００Ｖ 交流电压扩散连接接头强度达到６３．８±９．４ ＭＰａ，界面反应层的相结构为ＳｉＣ／ ＴｉＣ／ ＴｉＣ Ｔｉ Ｓｉ ／ Ｔｉ． 电场可在一定程度上促 ５ ３ 进界面原子的扩散，提高连接效率． 关键词：扩散连接；ＳｉＣ；Ｔｉ；界面；电场 ＋ － － － 中图分类号：ＴＧ４５３ ．９ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１６）１１ ００６１ ０８ Ａｔｏｍｉｃ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ａｎｄ ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｄｕｒｉｎｇ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ ｏｆ ＳｉＣ／ Ｔｉ ｕｎｄｅｒ ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ＳＵＮ Ｄｏｎｇｌｉ，ＺＨＡＮＧ Ｎｉｎｇｂｏ，ＷＡＮＧ Ｑｉｎｇ，ＬＩ Ｑｉｈａｉ，ＨＡＮ Ｘｉｕｌｉ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｒｂｉｎ １５００９０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｏｎ ｔｈｅ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｂｅｈａｖｉｏｒ ｏｆ ａｔｏｍｓ ａｎｄ ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ｒｅａｃｔｉｏｎ， ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ ｂｅｔｗｅｅｎ ＳｉＣ ａｎｄ Ｔｉ ｕｎｄｅｒ ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｗａｓｃａｒｒｉｅｄ ｏｕｔ．Ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ＡＣ（ＤＣ） ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ ｏｎ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｆ