基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展-物理.PDF

前沿进展 基于交叉结构的分子电子器件 及其逻辑电路的研究进展! 涂德钰! ! 王丛舜! ! 刘! 明4 （中国科学院微电子研究所! 纳米加工与新器件集成技术实验室! 北京! ’%%%$5 ） 摘! 要! ! 随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级，传统的硅基集成电路技术面临挑战，新材料及新结构 的研究成为热点，纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展- 场效应晶体管（678 ）和交叉结构是目前主要 的分子电子器件的结构，而交叉结构有利于集成受到广泛关注- 文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原 理、工艺流程，并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展- 最后，总结了交叉结构的前景及所面临的困难- 关键词! ! 交叉，纳米压印，逻辑电路，分子电子学 !#$%#’( $#$%)(*+% ,$-+%$. ’*, /0+% %+(%+). 1’.$, * %(..1’( .)(%)($. 89 :;=.! ! ?@A BC3DE(.3! ! FG9 H03D4 （!#$% ’($#’)%* + ,’*% - ./#0*%1%23 4’( ，5*6))7)/ % !#$%/1/#)$%*#6 ，80*/6/ 9#’:/;3 % #/*#/6 ，=/ *2? ’%%%$5 ，80*’ ） 21.)(’%)3 3 ?I J;KL /1KD; 03);DK1);M 20K2.0)I K;12( 1 2K0)021/ M0N;3I0C3 CO 1 O;, );3I CO 313CN;);KI ，2C3J;3 )0C31/ I0/02C3 P1I;M );2(3C/CDL 0I O1203D 1 P0D 2(1//;3D;- )@;, N1);K01/I 13M 1K2(0);2).K;I 1K; P;2CN03D 1 (C) )C*02 ，13M N.2( ;OOCK) 0I P;03D *.) 03)C M;J;/C*03D NC/;2./1K ;/;2)KC302 M;J02;I 1I 1 *1K) CO 313C;/;2)KC302I- 8(; 2.KK;3) *K0N1KL 1K2(0);2).K;I CO NC/;2./1K ;/;2)KC302 M;J02;I 1K; O0;/M ;OO;2) )K13I0I)CKI 13M 2KCIIP1K I,0) 2(;I ，13M 2KCIIP1K I)K.2).K;I 1K; 1))K12)03D ,CK/M Q ,0M; 1));3)0C3 M.; )C )(;0K;1IL 03);DK1)0C3- 8(; *K0320*/;I 13M *KC2;II03D CO NC/;2./1K ;/;2)KC302 M;J02;I P1I;M C3 2KCIIP1K 1K2(0);2).K; 1K; ；)(; 0N*/;N;3)1)0C3 CO /CD02 20K2.0)I P1I;M C3 2KCIIP1KI ，13M K;2;3) *KCDK;II 03 )(0I 1K;1 1K; M;I2K0P;M- 8(; *KCI*;2)I 13M *KCP/;NI CO 2KCII P1K 20K2.0)I 1K; 1/IC I.NN1K0R;M- 4$56(,.3 3 2KCIIP1K ，313C0N*K03)03D ，/CD02 20K2.0)I ，NC/;2./1K ;/;2)KC302I ［’ ，’S ］ ［’# ］