应用手册脉冲骑士PG-1000系列脉冲发生器在半导体测试中的应用.PDF

应用手册 脉冲骑士 PG-1000 系列 脉冲发生器在半导体测试中的应用 广州虹科电子科技有限公司 非易失性存储单元表征 内存研究的趋势是开发一种新的存储器，称为非易失性RAM ，它结合了 RAM 的 快速读取与大容量存储器的海量内存的特点。 有很多新储存单元方案，例如，FeRAM(铁电储存器) ，ReRAM(电阻储存器) ， MRAM(磁阻储存器) ，STT-MRAM (自旋转矩磁阻储存器) ，PCM(相变存储器)。 这些类型的储存器是以使用不同的物理原理改变材料传导性为基础。例如，在电 介质材料层中一根细线的形成或破坏，材料结构由非晶转变为多晶或与磁场一直。 在本应用案例中，我们介绍如何使用脉冲发生器测试 STT-MRAM 储存单元。 MRAM 储存单元使用磁性隧道结(MTJ)储存数据，MTJ 由薄氧化层隔离开的两块 电磁铁构成，如果两块电磁铁的磁场指向同一方向，电子可以通过绝缘层从一个电磁 铁传导到另一个电磁铁。第一块电磁铁具有固定的磁场，第二块电磁铁的方向可以通 过电流脉冲改变，所以转换磁场方向就可以改变叠片的传导性。 为了写入或者擦除一比特数据，需要在叠片中通过一个电流脉冲；磁场的假设方 向取决于电流脉冲方向。 写入或者擦除的效率取决于脉冲的持续时间和幅度，所以在此项技术的研究和探 索阶段 ，测试不同脉宽和幅度的组合是非常有用的，一个简单的实现方法是使用一台 脉冲发生器，市面上一般的脉冲发生器都支持脉宽、幅度、重复频率可变。 广州市黄埔区科学城科学大道 99 号科汇金谷三街二号 701 室 邮编:510663 sales@ support@ 电话:020, 传真:020 广州虹科电子科技有限公司 图 1 ：PG-1000 脉冲发生器软件界面截图 ，SimpleRider PG 的设置 ，写入和擦除一个储存单元 ：脉冲特性 50ns@3.3V 图2 ：PG-1000 脉冲发生器软件界面截图，SimpleRider PG 的设置 ，写入和擦除一组储存单元 ：脉冲特性 100ns@3.3V 广州市黄埔区科学城科学大道 99 号科汇金谷三街二号 701 室 邮编:510663 sales@ support@ 电话:020, 传真:020 广州虹科电子科技有限公司 图3 ：在本例中，脉冲发生器生成 50ns@3.3V 的脉冲串仿真写入或擦除一个储存单元，第二个通道生成 100ns@3.3V 的脉冲串仿真写入或擦除一组储存单元 PCM 存储单元是基于硫属材料的非晶态到晶相转变。当材料处于非晶态时，电阻 较高。当材料处于结晶相时，电阻较低。为了写入或擦除一比特数据，必须改变材料 的位相：一低压宽脉冲可以改变位相由非晶态变为结晶相。相反，一高压窄脉冲可以 改变位相由结晶相变为非晶态。 广州市黄埔区科学城科学大道 99 号科汇金谷三街二号 701 室 邮编:510663 sales@ support@ 电话:020, 传真:020 广州虹科电子科技有限公司 如图所示，脉宽和幅度和控制是基本功能。市面上很多脉冲发生器都支持脉宽和 幅度可调，比如Active Technologies 的脉冲骑士PG-1000 系列脉冲发生器时间分辨率 为 10ps、垂直分辨率为 10mV。 非易失性 RAM 技术的应用要求脉冲边沿数率更快：Active Technologies 的脉冲骑 士边沿时间小于 70ps ，幅度最高5Vpp ，对于半导体测试是不错的选择。 图4 ：PG-1000 脉冲发生