介电性能-材料性能学.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ㎡ * * * * * * * * * * * 3、介质驰豫和德拜方程 介质驰豫：在外电场加上或移去后，系统 逐渐达到平衡状态的过程。 A）阶跃电场： B）交变电场： C）德拜方程： 4、介质损耗的表示方法 A）直流电压下：介质损耗仅由电导引起，取决于材料的电导率；损耗功率为PW=IU=GU2；单位体积的介质损耗称为介质损耗率： B）交变电场下：介质损耗既与自由电荷的电导有关，也与松弛极化过程有关； 不仅决定于自由电荷电导，还由束缚电荷产生，它与频率有关。 C）介质的等效电导率： §2.2 介质损耗与频率、温度的关系 1、频率的影响 2、温度的影响(松弛极化随T而增加，?减小) §2.3 无机电介质的损耗 主要损耗形式:电导损耗、松弛极化损耗、电离损耗、结构损耗； 电离损耗：含有气孔的固体电介质在外电场强度超过了气孔内气体电离所需要的电场强度时，由于气孔内气体电离而吸收能量，造成损耗。 结构损耗：在高频低温下，与电介质内部结构的紧密程度密切相关的介质损耗；与温度关系很小，损耗功率随频率升高而增大，但损耗角和频率无关。 各种损耗发生的场合：高温低频下，主要为电导损耗；常温高频下主要为松弛极化损耗；高频低温下主要为结构损耗。 1、离子晶体的损耗： A）结构紧密的晶体：离子堆积十分紧密，排列很有规则，离子键强度很大；很难发生离子松弛极化，只有电子和离子的弹性位移极化；仅有漏导引起的少量损耗，无极化损耗；介质损耗功率与频率无关，损耗角随频率升高而降低； B）结构不紧密的晶体：有较大的空隙或晶格畸变，缺陷和杂质较多；其中的弱联系离子既可能贯穿电极运动形成电导损耗，也可能因热离子松弛出现极化损耗；其损耗较大； C）两种晶体形成的固溶体：存在各种点阵畸变和结构缺陷，损耗较大。 2、玻璃的损耗 A）无机材料的玻璃相是造成介质损耗的重要原因；复杂玻璃中的介质损耗主要包括电导损耗、松弛损耗和结构损耗；工频高温下，电导损耗占优势；高频常高温下，主要是松弛损耗；高频低温下，主要是结构损耗； B）简单玻璃的损耗一般很小；在纯玻璃中加入碱金属氧化物后，介质损耗随碱性氧化物浓度的增大按指数增大。（因为一价的碱性氧化物破坏玻璃的点阵结构，使其越加疏松，离子更易发生移动，造成电导损耗和松弛损耗） C）双碱效应和压碱效应：与玻璃电导中的情况类似。 3、陶瓷材料的损耗 主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗、结构损耗 A）以结构紧密的离子晶体为主晶相的陶瓷，主要来源玻璃相； B）大多数电工陶瓷，由于主晶相结构松散，形成缺陷固溶体及多晶形转变，而使得离子松弛极化损耗较大； C）含有可变价离子的陶瓷材料，具有显著的电子松弛极化 总之：介质损耗是由介质的电导和松弛极化引起的；电导和极化过程中带电质点(弱束缚电子和弱束缚离子，包括缺陷和空位)移动时，将它在电场中所吸收的能量部分地传递给周围质点，使电磁场的能量转变为质点的热振动，能量消耗在使电介质发热效应上。 §3 介电强度 §3.1 介质在电场中的破坏 介质的击穿：电介质材料只能在一定的电场强度内保持其绝缘或介电能力；当电场强度超过某一临界值时，材料由介电状态变为导电状态； 电击穿是一种集体现象：击穿电场的范围为105～5×106 V/cm；宏观尺度上为高电场，但从原子尺度看却非常低(106 V/cm为10-2 伏/埃)；即击穿不是由于电场对原子的直接作用导致；电击穿是一种集体现象：能量通过其它粒子传送到被击穿组分中的原子上。 分类：热击穿、电击穿、局部放电击穿 §3.2 热击穿 热击穿的本质：处于电场中的电介质，由于其中的介质损耗而受热；当外加电压足够高时，可能由散热与发热的热平衡状态转为不平衡状态；若产生的热量比散出的多，介质温度将愈来愈高，直至出现永久性损坏。分为稳态热击穿和脉冲热击穿。 临界电压时： §3.3 电击穿 1、概述：在强电场下，固体导带中可能存在一些电子；这些电子一方面被外电场加速而获得动能，另一方面又与晶格振动相互作用，把电场的能量传递给晶格；当这两个过程在一定温度和场强下平衡时，固体介质有稳定的电导；当电子从电场中获得的能量大于传递给晶格振动的能量时，电子的动能愈来愈大；当电子能量大到一定值时，电子与晶格振动的相互作用导致电离产生新的自由电子，自由电子数目的迅速增加使电导进入不稳定阶段，发生击穿；理论上可分为本征电击穿和“雪崩”电击穿两种类型。 2、本征电击穿：当电场上升到电子从外电场获得的能量大于传递给晶格