半导体二极管及其基本电路new.ppt

二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.4V,锗管0.1V。 反向击穿电压UBR 加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线──二极管的伏安特性曲线。 2.2.3 半导体二极管 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 二、伏安特性 U I 2.2.3 半导体二极管 特征 1、 二极管的伏安特性曲线都是从坐标原点开始的。 2、正向偏置电压需要达到一定的数值电流才开始显著上升，这个电压称为门限电压或接通电压。UON UON≈ 0.4v 硅管 0.1v 锗管 锗管的UON是硅管的约三~四分之一，这是硅管与锗管的明显区别之一。 二、伏安特性 2.2.3 半导体二极管 特征 3、 二极管正常工作时，其正向压降为： 0.6～0.8V 硅管 0.1～0.3V 锗管 4、硅管的上升部分比锗管陡一些。 5、电流与电压的关系是非线性的。 6、加反向电压时，最初随着反向电压的增加电流增加。到一定值以后反向电流几乎不随电压的增加而增加。这时的电流──反向饱和电流（IS）。它主要与环境温度有关（T↑→IS↑）。 U I IS 二、伏安特性 2.2.3 半导体二极管 特征 7、反向电压继续增加到一定值以后，反向电流开始剧烈增加。这时二管被击穿。 雪崩击穿──通常发生在耗尽层的宽度较大的情况下，出现碰撞电离，产生电子的倍增效应。 齐纳击穿──通常发生在耗尽层的宽度很小的情况下，出现场致激发。 热击穿： U I － － － + + + P N － － － + + + 二、伏安特性 2.2.3 半导体二极管 特征 8、温度对二极管特性的影响 二极管的特性对温度很敏感 T↑→正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。 U正=-2~2.5mA/℃ IR=1倍/10℃ U I 其中 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 三、伏安公式 2.2.3 半导体二极管 U I 当二极管反偏时：U＜＜-26mv时 I≈IS（反向饱和电流） 当二极管零偏时：U=0 I=0 当二极管正偏时：U＞＞26mv时 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 四、主要参数 2.2.3 半导体二极管 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 四、主要参数 2.2.3 半导体二极管 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 5. 直流电阻 RD uD ID iD UD Q 四、主要参数 2.2.3 半导体二极管 * 电子技术基础（模拟部分） 兰州大学信息科学与工程学院 2012年 2.1.1 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 §2.1 半导体的基本知识 一、什么是半导体 半导体之所以能制成半导体器件，并不是因为它的导电性能介于导体和绝缘体之间，而是因为它具有一些独特的导电性能。 1、半导体的导电性能与温度有关 T↑→ρ（电阻率）↓ 即负温度系数 2、半导体的导电性能与光照有关 光照↑→ρ↓ 3、半导体的导电性能与掺杂有关 掺杂↑→ρ↓ 而且搀入不同的杂质，还可以改变其导电类型。 2.1.1 导体、半导体和绝缘体 二、半导体的特点 2.1.2 本征半导体 一、本征半导体的结构特点 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 1、硅、锗原子的结构 +4 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位