薄膜的物理气可相沉积-蒸发法.ppt

（2）Cd1- xZnxTe 多晶薄膜的制备、性能与光伏应用 Cd1- xZnxTe (简称CZT ) 是一种性能优异的II－IV族三元化合物半导体材料，具有闪锌矿立方结构。它可以被看作两种二元材料ZnTe和CdTe的固溶体, 改变Cd1- xZnxTe 中Zn含量(x 值或称组分) , 它的一些重要的物理性质可以在预想的范围内变化。其禁带宽度随x 值变化在1149eV 到2126eV 间连续可调。 蒸发法制备薄膜举例 蒸发法制备薄膜举例 正是由于Cd1- xZnxTe 材料具备这些优异性质,使它在很多领域有着广泛的应用。如用Cd1- xZnxTe制成的探测器能在常温下工作, 性能优异, 是现在研究的热点; 它也是其他许多II－IV族化合物半导体材料理想的外延衬底; 而能隙宽度在1165～ 1175eV间的Cd1- x ZnxTe 薄膜材料作为高效级联电池的顶层材料特别引人注目。还有, 在CdTe 电池中, Cd1- xZnxTe是一种有望代替ZnTe 材料来作为与CdTe 形成欧姆接触的背接触层材料。 用共蒸发法制备Cd1- xZnxTe 多晶薄膜, 能简单控制所制备薄膜的组分, 也从实验上得到了能隙与组分的关系。 使用下图 的共蒸发装置来制备Cd1- x2ZnxTe 多晶薄膜。 真空室(真空度1×10- 3Pa) 中, 两个独立的蒸发源分别加热ZnTe (99.998% ) 粉末和CdTe (99.999% ) 粉末, 蒸发ZnTe 的蒸发器用石英容器, 外面绕上加热钨丝, CdTe 粉末则用钼舟加热。两个蒸发源之间隔有挡板, 以免互相间对探头有干扰。用两台LHC22 膜厚监控仪对两个蒸发源各自进行薄膜厚度和沉积速率的在线监控。实验中衬底为普通显微镜用载玻片。 蒸发法制备薄膜举例 所有在玻璃衬底上用上述共蒸发法制备的Cd1- x ZnxTe 多晶薄膜的XRD 图谱中, 都只有一个峰,它就是CdTe 和ZnTe 的合金——碲锌镉. 蒸发法制备薄膜举例 蒸发法制备薄膜举例 电池中碲化镉是多晶薄膜, 具有大量的晶粒间界和局部微孔。这会形成微小的漏电通道而降低了电池的旁路电阻。 蒸发法制备薄膜举例 Cd0.4Zn0.6Te 过渡层本身电阻率很高, 而且膜层很致密, 因此它能很好地起着堵塞碲化镉中漏电通道的作用, 使电池的旁路电阻增加了12～12%。 电弧离子镀是将电弧技术应用于离子镀中,在真空环境下利用电弧蒸发作为镀料粒子源实现离子镀的过程. 电弧离子镀是物理气相沉积技术中应用最广,同时也是进行硬质膜制备的唯一产业化方法. 同磁控溅射相比具有沉积速率高、附着力好、膜层致密、易于控制、适应性宽等特点.电弧离子镀技术制备的TiAlN膜层具有较高的硬度(HV1600～3500) 、耐磨性、抗高温氧化性、与基 体之间的结合力强以及良好的化学稳定性和优异的化学性能,成为替代TiC、TiN等单一膜层的新一代膜系。 （3）电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究 蒸发法制备薄膜举例 目前, 电弧离子镀制备TiAlN 膜层的热点是: (1)寻求制备纳米颗粒尺度的膜层结构工艺,进一步提高膜层的性能; (2)消除液态金属大颗粒，提高镀膜质量; (3)改进制备工艺,提高膜层结合力。如进行膜层梯度设计、负偏压控制、引入辅助沉积手段以及进行膜层沉积过程的热处理等。 蒸发法制备薄膜举例 在沉积时间为30min ,弧流分别为60A、70A和80A,其它沉积条件不变的条件下实验结果表明:在70A和80A的条件下,膜层表面形貌没有明显改变,在60A的弧流下,膜层的颗粒密度和直径明显减小. 蒸发法制备薄膜举例 蒸发法制备薄膜举例 （4）氧化镍薄膜的制备及电化学性质 蒸发法制备薄膜举例 电子器件的微型化及微电机械系统的不断进步迫切要求微电池与之匹配,全固态薄膜锂离子电池因高能量密度、高电压、长循环寿命、高安全性等优点受到人们的重视。纳米结构电极的充放电速率、比容量和循环性能与传统的电极相比有显著的提高。近年来,用于全固态薄膜锂离子电池的纳米薄膜电极的制备成为研究热点。 脉冲激光沉积(PLD , Pulsed Laser Deposition) 制备薄膜时沉积、晶化、成型一次完成,沉积速率高,反应室无残余热,薄膜厚度容易控制,近几年来已经报道了多种采用PLD 技术制备高质量的电极薄膜。 脉冲激光沉积薄膜在不锈钢反应室内进行。先将反应室抽真空,然后持续通入一定气压的纯氧,气体流量由一微调针阀控制。355nm 激光由Nd :YAG(掺钕的钇铝石榴石）激光器产生的基频经三倍频后获得,频率为10Hz ,脉宽为6ns ,激光输出的