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2009年第一季度光电子领域新授权发明专利精选-吉林知识产权局
第一季度光电子信息
REC
申请号=CN200710020037.0
名称=紧凑型1×N光功率分路器
主分类号=G02B6/28(2006.01)I
分类号=G02B6/28(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I;H04B10/12(2006.01)I
申请(专利权)人=东南大学
发明(设计)人=孙小菡;于 兵
公开(公告)日=2009.01.07
公开(公告)号=CN100449342
专利代理机构=南京经纬专利商标代理有限公司
代理人=陆志斌
申请日=2007.02.08
地址=210096江苏省南京市四牌楼2号
摘要=本发明属于集成光电子技术领域,提供一种能够在较低损耗的情况下减小整
个器件的尺寸并能够实现匀衡输出功率的紧凑型1×N光功率分路器。这种紧凑
型1×N光功率分路器,包括:N个T型分路器(1),N为大于或等于2的自然
数,作为前一级T型分路器的输出端分别与作为后一级T型分路器的输入端连
接,其特征在于T型分路器(1)包括多模干涉型波导(6),在多模干涉型波导
(6)的一端设有作为T型分路器输入端的单模入射波导(3),在多模干涉型波
导(6)的输出端波导上设有V型槽(5)并以由V型槽(5)分隔的两段输出波
导作为T型分路器的2个输出端,在多模干涉型波导(6)上设有光功率调制模
块(4)。
国省代码=江苏;32
REC
申请号=CN200510126238.X
名称=闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
主分类号=C30B25/00(2006.01)I
分类号=C30B25/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I
申请(专利权)人=中国科学院半导体研究所
发明(设计)人=赵有文;董志远;段满龙;魏学成
公开(公告)日=2009.01.14
公开(公告)号=CN100451180
专利代理机构=中科专利商标代理有限责任公司
代理人=段成云
申请日=2005.11.30
地址=100083北京市海淀区清华东路甲35号
摘要=本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领
域,特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英
管内,一端放置高纯ZnO粉作为源,另一端放置籽晶,通过控制源区与
生长区的温度分布实现气相传输,生长ZnO体单晶,在生长过程中放入
少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管,再选用一根
外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管,用来顶住籽晶片,使其固定
在石英管的平面端,ZnO粉放置在内管的另一端,同时放入少量的高纯
碳粉,然后外管接真空系统,抽真空后用石英封泡封闭,将封好口的石
英管放入水平加热炉内升温加热,控制温度分布进行ZnO单晶生长。
国省代码=北京;11
REC
申请号=CN200610019601.2
名称=和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作工艺
主分类号=H01L31/107(2006.01)I
分类号=H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
申请(专利权)人=武汉电信器件有限公司
发明(设计)人=丁国庆
公开(公告)日=2009.01.14
公开(公告)号=CN100452445
专利代理机构=武汉宇晨专利事务所
代理人=黄瑞棠
申请日=2006.07.11
地址=430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
摘要=本发明公开了一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD管芯及其制作
工艺,涉及一种和共面波导集成的侧面进光的10Gb/s APD,尤其涉及一种二台
阶连体式管芯的结构及其制作工艺。本管芯整体结构为一种和共面波导集成的、
二台阶连体式管芯,从下到上,InP掺铁的半绝缘衬底、下台阶和上台阶依次连
接;本管芯制作工艺包括MOCVD外延,PECVD,光刻与化学腐蚀,化学清洗,扩
散,反应离子刻蚀,电子束蒸发,金属剥离,钝化处理,管芯分离;制作工艺最
重要的是化学腐蚀和管芯分离。本管芯是高速率、长距离光通信系统的关键光电
子器件;管芯和共面波导一体化设计与制作,不仅简化了工艺,降低了成本,而
且减少了传输损耗,容易阻抗匹配;本发明解决了侧面进光面的平整性问题。
国省代码=湖北;42
REC
申请号=CN200510116481.3
名称=辐射芯片
主分类号=H01L33/00(2006.01)I
分类号=H01L33/00(2006.01)I
申请(专利权)人=奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明(设计)人=J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;R·奥伯施米德;W·普拉斯;U·施特劳斯;J·维克尔;U·策恩德
公开(公告)日=2009.01.14
公开(公告)号=CN100452453
专利代理机构=中国
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