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2011清大电资院学士班-清华大学电机资讯学院学士班
2011清大電資院學士班 「頂尖企業暑期實習」 經驗分享心得報告 前言 (一)實習時間：民國100年7月4日至100年8 月31日，共59天 (二)實習地點：力旺電子公司 (三)實習導師：劉承傑 部經理 (四)參與動機：了解科技業實際情況 實習單位簡介 地址 : 竹北市科學工業園區台元一街5號8樓 董事長 : 徐清祥 (曾任清華大學電子所所長 ) 公司簡介: 開發高密度之嵌入式非揮發性記憶體矽智材 技術、IP 及產品 所屬部門 : 元件工程部-SONOS之元件設計、可靠度分析 及改善 實習內容 Topic : Thicker ONO scheme evaluation for NeoFlash retenion improvement Motivation : study the characteristics of its data retention performance Flash Memory Non-volatile Memories to store the data even with the power turned off Cell Vt has changed with stored electron or hole in floating gate Charge Loss, Retention Simulation Model Simulation Model Panel 實習收穫 Acquire knowledge on device physics Device measuring method Gain experience and insight on data analysis Being able to import what I have learned into practical use 附錄(實習照片) * * 實習企業：力旺電子公司 實習學生：電資院學士班李龍杰 “Logic 0” “Logic 1” Drain Source Drain Source e- e- e- CG CG ID Sensing VWL Ion VCG “1” “0” Nitride charge loss Vt ID charge gain window ERS state PGM state silicon measurement data simulation model 80% Measured Retention data Ec Substrate Ev 1 2 3 qψT qψE Silicon Nitride Tunnel Oxide Top Oxide Gate ONO Thickness dependence of △Vt *
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