超薄Si.PDF

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1997　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 超薄 SiO 2 膜电子隧穿及低场 传输电流的温度关系 冯文修　　陈蒲生　　　　　　　　黄世平 ( ) ( ) 华南理工大学　应用物理系　广州　510641 　　 香港中文大学　电子工程学系 提要　在N Si〈100〉衬底制作了 10nm 超薄 SiO 2 作介质膜的M O S 结构. 研究了温度从 100～ 450 电子从 界面积累层 隧穿超薄 的 特性及低场传输电流随温度的变化关 K Si F N SiO 2 I V 系. 研究结果表明: 在较低的温度下, 电流与温度基本无关; 而在较高的温度下, 电流随温度指 数增加. 为从理论上解释这些实验结果, 认为在 隧穿电场范围, 电流密度 ∝ 2 (- F N J 1 F exp ) , 而在低场范围电流 = + , ∝ (- ). 为低场漏电流. 从实验数据可以 F J J 0 J 2 J 2 F exp 2 kT J 0 J 1 求出, 电子从N 型 Si〈100〉隧穿超薄 SiO 2 的势垒高度为3. 13eV. 在较高温度下, 因有效隧穿势 垒随温度增加而线性地减少, 使隧穿电流指数地增加, 证实了N 型 Si 半导体费米能级随温度 增加而下移的情形. J 2 是较高温度及低场下介质膜中热激活电子从一种孤立态到另一种孤立 态的跳跃产生一种欧姆导电特性, 并求得了电子热激活能 2 约为 0. 163eV. : 7200 , 7200 PACC F H 1　引言 众所周知, 作为硅半导体器件和集成电路中应用最多的M O S 结构中的 SiO 2 介质膜是 研究得最多和最深入的. 随着VL S I 技术向深亚微米发展, 研究超薄 SiO 2 膜的特性例如电 流传输特性与膜的介电常数、抗击穿能力以及器件的性能密切相关. 膜的传输电流的温度依 赖性可直接影响微米量级集成电路器件的热稳定性. 因此研究超薄 SiO 2 传输电流随温度变 化关系亦有极为重要的意义. 自从Fow ler 和N o rdheim [ 1 ] 用一种定量关系解释了电子从金属向真空发射的基本规律 后, 和 [ 2 ] 说明了 关系可用来描述依赖於作用电场、温度和界面势垒高度 M u rphy Good F N 　 广东省自然科学基金盗助研究项目 冯文修　男, 1945 年出生, 副教授, 主要研究方向: 半导体器件及薄膜物理 陈蒲生　男, 1939 年出生, 教授, 主要研究方向: 半导体表面及新型薄膜、敏感器件 收到,定稿 778 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报