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第4讲 半导体三极管 主要内容 三极管的结构 三极管的放大作用和载流子的运动 三极管的特性曲线 三极管的主要特性及应用 三极管的主要参数 三极管的测试 基本要求 了解三极管的结构特点 理解三极管的电流放大作用 掌握三极管的输出特性曲线及其三个工作区 理解三极管的电流分配关系 掌握三极管的主要特性及应用 了解三极管的主要参数 重点 三极管的主要特性 半导体三极管 别称——双极结型三极管（BJT）、双极型三极管、晶体管、三极管 分类 按结构分 NPN型 PNP型 按材料分 硅三极管 锗三极管 按功率大小分 大功率管 小功率管 按工作频率分 高频管 低频管 制作工艺 在N 型硅片(集电区)的氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成P 型(基区)； 再在P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N 型（发射区）； 引出三个电极即可。 问题 各区掺杂浓度的差异？ 各区厚度的差异？ PN 结面积的差异？ 结构示意图（PNP 型） 一、三极管的结构 外形 2、三极管中载流子的运动 小结 放大条件 内部条件 基区很薄，掺杂浓度最低 发射区高掺杂 集电结面积大 外部条件 发射结正偏 集电结反偏 NPN 管： UC＞UB ＞ UE PNP 管： UC＜UB ＜ UE 电流关系 IC=IB +IE 三极管与二极管不同之处: 三极管具有电流放大作用。 放大有两层含义： 放大的对象是变化量，而不是一个恒定量； 放大作用实质上是一种控制作用，即用弱小的基极电流IB控制较大的集电极电流IC的大小。IB 控制IC 因此，三极管也可以理解为受控电流源 电流控制电流 三极管特性曲线 动画展示 四、三极管的主要特性及应用 开关特性 开关特性 发射结、集电结都反偏，三极管截止，相当于开关断开 发射结、集电结都正偏，三极管饱和，相当于开关闭合 应用：开关器件 放大特性 放大特性 发射结正偏、集电结反偏 当基极电流有一个微小变化，相应的集电极电流有较大变化。 应用：放大器件 恒流特性 恒流特性：在放大区，若iB不变，则iC不随uCE的变化而变化。 应用：恒流源 温度特性 四、三极管的主要特性及应用 温度特性动画 电流放大系数 反向饱和电流 极限参数 双极型三极管的参数 三极管管脚、材料、类型的判断方法举例 温度特性 温度对参数的影响 温度对ICBO的影响——温度每升高10℃，反向饱和电流ICBO约增加一倍。 温度对? 的影响——温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 温度对VBE的影响 ——减小 温度对输出特性曲线的影响 水平上移 间距有所增大 应用：温度补偿三极管 四、三极管的主要特性及应用 五、三极管的主要参数 1）共射极电流放大系数 ? 2）共射极直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3）共基极电流放大系数 ? 4）共基极直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 1、电流放大系数 ——表征管子放大作用的参数。 2、反向饱和电流 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 测量电路 大小 小功率锗管几微安 硅管纳安量级 集电极和发射极之间的反向饱和电流 ICEO 当 b 开路时， c 和 e 之间的电流 测量电路 反向饱和电流间的关系 PCM = ICUCE 3、极限参数 集电极最大允许电流 ICM 集电极最大允许耗散功率PCM 极间反向击穿电压 U(BR)CEO——基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 U(BR)CBO——发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 安全工作区——同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 IC UCE O ICM 安全工作区 过 损 耗 区 过电压 U(BR)CEO 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? * 集电极 一、三极管的结构 常用的三极管的