高压变频器 SVG的推广资料2012.4.ppt

特性比较 模块性能的比较（如无特殊说明，Tj=125℃） 　 A公司 B公司 比较结果 项目 单位 2MBI1000VXA-170E-50 FF1000R17IE4 - 　 封装 [mm] PrimePACK PrimePACK - 　 Ic [A] 1000(Tc=100℃) 1000(Tc=100℃) - 电流能力相同 Vce(sat) (chip) [V] 2.40 2.35 - 同等的导通损耗 Tjop [℃] 150 150 - 工作结温相同 Tjmax [℃] 175 175 - 最大结温相同 Rgon/off [Ω] 1.2/1.8 1.2/1.8 - 驱动电阻完全相同---直接替代！ Eon [mJ] 220 390 - 优势明显 Eoff [mJ] 360 295 - 关断损耗略高 Rth(jc)_IGBT [K/kW] 24 24 - 热阻相同 Rth(jc)_FWD [K/kW] 48 48 - 热阻相同 VF (chip) [V] 2.10 1.95 - 二极管通态损耗差不多 EMI特性改善 在通过Rg改善开通速度可控性的同时，要注意EMI干扰与开通损耗的折衷关系。 下图：作为EMI干扰主要原因的反向恢复dv/dt和开通损耗之间的关系。与U系列IGBT产品相比，在同样的反向恢复dv/dt下，V系列IGBT的开通损耗较小。 结论：与U-IGBT产品相比，V-IGBT的反向恢复dv/dt与开通损耗间的折衷关系得到了改善。V系列IGBT模块同时实现了低损耗和低干扰。 V系列：低浪涌电压 VDC=600V 800V 900V 1000V X4 V Vpeak=784V Vpeak=768V D16V 1020V 964V D56V 1168V 1060V D108V 1252V 1152V D100V VDC≧900V时的浪涌电压降低100V以上 V系列：浪涌电压对Rg的依赖性 浪涌电压对门极电阻Rg的依赖性是有峰值的。 测试条件： Vge=±15V, Vcc=900V, Ic=600A, Tj=RT Rgoff=2.2Ω 2MBI1000VXB-170-50 V系列：低热阻封装（优化布局） 以前的封装 V系列封装 Hotspots 低热阻 均温分布 　　　 避免热量过于集中 以前： IGBT-IGBT　（发热源集中） V-PKG： IGBT-FWD-IGBT 　　　　　　　　　（发热源分散） 芯片分布到DBC的外周 加速热循环（新无铅焊锡） Example of EP2,3XT V-PIM 提高功率循环寿命 Copper base plate (c) (b) (a) Mode 1 : 热应力 (a) 热机械应力导致焊锡结合处产生裂缝 (b) 铝线脱落（芯片部分） Mole 2 : 机械损坏 (c) 铝线脱落(端子部分） Mode 3 : 腐蚀 (d) 铜箔之间的绝缘受损 (d) DCB substrate Case Power chip (IGBT/FWD) Al-bond wire Tj Power cycle Tc Power cycle ΔTc功率循环寿命比较 Candidate idea; tbd. in future 40 50 60 70 80 90 富士 (标准模块） DTc 功率循环寿命 　　　　: 16,000cy at 80deg.C I社 标准模块(Cu)　 Al2O3 + Cu 底板 Al2O3 + Cu 富士 New 2in1 I社品 （富士試験） DTc (oC) I社 PrimePACK 富士模块具有更高的可靠性。 Data from Infineon website 1200V IGBT4 - High Power- a new Technology Generation (ed_pcim06_1200V IGBT4 - High Power- a new Technology Generation .pdf) 富士 Tjmin=25oC 富士 Tjmax=150oC Fuji Experimental results, not official guarantee ΔTj功率循环寿命比较 富士模块具有更高的可靠性。 Test conditions;-40oC(1HR)~RT(0.5H)~125oC(1H) 300 cycles后 一般的无铅焊锡 富士使用的无铅焊锡 焊锡裂缝 Candidate idea; tbd. in future 规格书概略 例子：1200V/200A