专题一 半导体器件(全).doc

专题一 半导体器件 一.知识点： 1.半导体类型 注意：（1）电子带负电，空穴带正电； （2）杂质半导体整个晶体呈电中性，多子由掺杂浓度决定。 2.PN结正偏（P正N负）；PN结反偏（P N正）负。 3.半导体二极管的伏安特性：正向特性、反向特性、击穿特性。 温度对二极管的特性有显著影响。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 反向漏电流：减小——单向导电性提高。由温度决定。 最高工作频率 4.稳压二极管工作在反向击穿区，具有很好的稳压特性。 * 1）正向电流大，开关时间短； 2）正向导通电压低，功耗低。——肖特基二极管 用在超高频电路中。 *变容管 工作在反偏状态，反向电压升高，则电容量C 减小。 微调电台，作“调谐电容”。 5.晶体三极管实现放大作用的外部条件： 发射结正向偏压，集电结反向偏压。 6.晶体三极管的电流关系： 工作过程：发射、复合、收集。 7.晶体三极管的外部特性 1）输入特性： 2)输出特性: 截止区：反——集 反（或零）-发 放大区：反 正 饱和区：正 正 放大区：发射结正偏，集电结反偏， IC≈βIB。当IB有一个微小的变化时，就能引起IC一个较大的变化，反映出了三极管工作在这一区域对电流的线性放大作用，放大区时，对NPN管而言，VCVBVE。 截止区：发射结反偏或零偏、集电结反偏，IC≈0，晶体管在此区域没有放大能力，截止区时，对NPN管而言，VCVEVB。该工作状态主要在数字电路中作开关使用。 饱和区：处于发射结正偏、集电结正偏，三极管失去放大能力，这一区域称为饱和区，饱和区时，对NPN管而言，VBVBCVE。该工作状态也主要在数字电路中作开关使用。 8.温度对晶体三极管特性和参数的影响：随温度升高，输入特性曲线左移、输出特性曲线上移且曲线间距离增大，β增大。 9. 场效应管又称为单极型半导体三极管, 三个电极依次为栅级G(B)、源极S(E)、漏极D(C),是利用栅源电压Vgs改变导电沟道的宽窄实现对漏极电流 的控制（压控流源VCCS）。类型有： 二.典型题： (一).半导体器件基础知识（填空、选择判断） (二).晶体管类型和工作状态的判断（填空、选择判断） 题型1.半导体器件基础知识 1.判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× 2.选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 解：（1）A （2）C （3）B 题型3.晶体管类型和工作状态的判断 1.根据晶体管各极直流电位判断其类型和管脚 在放大区 2.根据晶体管各极的电流和电位判断其工作状态 例1 测得放大电路中的两个晶体管的两个电极无交流信号输入时，放大电流大小及流向如图(a)(b)所示。 求另一个电极电流，并标出实际方向； 标出三个管脚各是什么电极； 判断它们是NPN还是PNP型管。 解 ：（1） 另一电极电流大小及实际方向如图(c)(d)所示。 （2） 各管脚相应的电极如题图5 (c)(d)所示。 （3） 题图5 (a)所示晶体管为NPN型，题图5 (b)所示晶体管为PNP型 分析：据电极电位判断三极管类型方法： （1）判断电位差0.7V/0.3V，断定e和b并确定硅管、锗管 （2）按电位关系判断NPN及PNPB并确定e和b VCVBVE NPN型 VCVBVE PNP型 例4测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si