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托卡马克装置的运行和控制 合肥，2012/8 内容 壁的预处理（conditioning） 放电程序和运转：程序控制 等离子体控制（反馈控制） 磁场控制——平衡问题 动理控制——输运问题 壁的条件化：表面过程的重要性 固体表面吸附气体的作用 主要表面过程 粒子在壁表面的循环 溅射是引进重杂质的主要过程 杂质种类 轻杂质 O：H2O，CO，CO2 C： CO，CO2 ，有机分子 重杂质 金属杂质：主要源于溅射、 蒸发、颗粒 颗粒：源于起泡起皮过程 对系统的要求 适合真空要求的材料 清洁无油抽气系统 抽至一定的本地气压10-5Pa 无或尽量少的有机材料 有一定的壁预处理措施 对壁预处理的要求 维持低的本地压强 限制杂质的释放以维持可接受的杂质水平 限制氢同位素的释放以维持等离子体密度（聚变反应率）和可接受的边界状态 控制表面产生的颗粒 控制或限制氚在表面的滞留 壁预处理方法 烘烤 金属膜吸气剂 脉冲放电清洗 辉光放电清洗 表面镀膜 射频放电清洗 在线抽气 烘烤 放电清洗 TDC：Taylor放电 DDC：破裂放电 辉光放电 射频放电清洗 表面镀膜 C：减少金属杂质溅射 B：改善能量约束时间 Si：减少氧杂质 Li 在线抽气 托卡马克的运行程序（以ITER为例） 预磁化 击穿 电流值上升电流通道扩散 偏滤器形成 辅助加热 （点火燃烧） （燃烧停止） 电流下降并截止 磁体停机 变压器的伏秒数和预磁化 击穿——Townsend放电理论 击穿——等离子体的产生 影响击穿的因素 超导磁体 避免逃逸电子 避免引进杂质 真空室有无绝缘缝 杂散磁场 有适当局部垂直场 ITER击穿时的磁面结构和电流通道发展 磁漂移在击穿中的作用 杂质烧尽与逃逸电子产生 预电离：提供初始空间电荷手段：ECR，LH，ICRF 非感应电流启动 ECR电流启动 同轴螺旋注入 非螺线管电流启动 总结：非传统电流启动方式 电子回旋波（ECR）电流启动 同轴螺旋注入 非螺线管电流启动 等离子体电流爬升 高爬升率导致电流轮廓变宽，li减少，可能发生MHD不稳定性 补充充气使边缘辐射增加，导致电流轮廓变窄， li增加，达到密度极限 截面形状的形成与维持 要避免的磁流体不稳定性 磁通的电阻消耗 电流下降段的措施 逐步减少小半径，降低下降率以维持li值 使用外加螺旋场激发可控制的MHD模，使li不致增加太快 辅助加热或充氦扩展密度窗 ETER典型波形 等离子体控制的目的 保证安全运行，所有参数达到设计指标 物理研究的要求 等离子体控制：历史发展 等离子体控制的内容 运转系列：预磁化，击穿，电流爬升扩张，偏滤器形成，辅助加热，（点火燃烧及停止），电流下降截止，磁体工作截止冷却 磁场控制：电流，形状，位置，偏滤器位形，误差场补偿 动理控制：L-H模转换，密度，聚变功率，杂质含量，辐射成分，参数轮廓，不稳定性稳定 快速停车：大破裂发生时需要 可能的扰动 加热、输运引起的参数的缓慢变化 垂直位移不稳定性 不稳定性：锯齿震荡，小破裂，ELM 外界扰动：充气，弹丸注入，辅助加热，L-H转换 磁场控制原理 PID调节器 比例作用：校正作用强，稳定性好 积分作用：消除余差 微分作用：超前作用，增加稳定性 ASDEX-U控制波形 形状控制 磁场控制的物理基础 主要等离子体响应模型 CREATE-L模型：求解平衡方程和电路方程，再平衡附近求扰动解并线形化，数值求解的倒数入量（线圈电压）和输出量（磁场、磁通和一些等离子体参数 RZIP模型：将等离子体划为一组轴对称电流元，计算其受力以及电流元及极向线圈组及无源导体的回路方程 电流控制与位移控制的耦合 一种统一考虑力学和电学的方法 无源导体（被动导体） 如何计算无源导体的参数？电流线法 如何计算无源导体的参数？镜像法 密度控制：加料方法及效率 吹气 效率： 10-15% 气体 超声分子束：30-60% 气体（团簇） 等离子体团注入 等离子体 弹丸注入： -80% 固体 弹丸注入 超声分子束注入 速度：≤1000m/s 注入量： 5×109 脉冲长度：几十毫秒 可能形成团簇 等离子体团（CT）注入 动理控制：密度，温度，杂质水平，电流密度，聚变功率 核心区动理控制典型事例 ITER动理控制系统概念图 托卡马克基本控制策略 ITER参数时空分布 DIIID上的动理控制 反剪切位形的形成（TFTR） 轮廓控制 破裂的防止 选择适当的运转空间 慢的间接控制，如控制电流轮廓 先兆阶段快的反馈控制：辅助加热 发生后减少危害，包括快速停车 先进运行模式 先进运行模式：高约束、高比压、高自举电流份额的运行模式 目的：小装置尺度、大功率密度