GaN外延层中的缺陷研究.PDF

第48 卷 第 7 期 1999 年 7 月 物　理　学　报 V ol.48, No.7, uly, 1999 1000-3290/1999/48(07)/1372-09 ACTA PHYSICA SI NI CA c1999 Chin.Phys.Soc. GaN 外延层中的缺陷研究 康俊勇　黄启圣 (厦门大学物理系, 厦门　361005) 小川智哉 (学习院大学理学部, 东京 171, 日本) (1998 年 10 月5 日收到;1998 年 11 月4 日收到修改稿) 　　采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的GaN 外 延层中黄色发光带的强度分布.结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很 大影响.测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子序数衬度和 X 射线波谱 发现, 黄色发光带的强度在含有O 和C 等杂质缺陷附近较强.高分辨透射电子显微镜观察表 明, 杂质缺陷区的晶格结构不同于GaN 基质, 以及位错和裂缝等由应力引起的缺陷.认为此 类缺陷可能是生长过程中, 杂质在结晶小丘合并处的V 形凹角中的沉积所产生. PACC:7860H;6855L;6116B;8130M 1　引 言 GaN 半导体及相关化合物具有直接禁带宽、热导率大、击穿电压高和高温化学稳定 性好等特点, 在短波长光电器件、高温器件、大功率器件和高频大功率器件等方面有广泛 的应用前景.近年来, 由于用外延法能生长出表面平整的GaN 薄膜, 使 GaN 的应用迅速 [1] [2] 得到推广 .相继有GaN 高亮度蓝色发光管 、蓝光脉冲激光器、蓝光连续波激光器研制 [3] 成功的报道 .目前, 日亚化学工业公司研制出的GaN 蓝光连续波激光器的工作寿命已 [4] 能达到一万小时以上 .由于GaN 外延时极易产生缺陷, 因此有必要对GaN 外延层的缺 陷进行研究. 本文报道对金属有机物汽相外延(M OVPE)法生长的具有不同表面形貌的非有意掺 杂GaN 的研究结果.实验采用光致发光和阴极射线致发光法, 观察GaN 外延层中缺陷的 黄色发光强度分布, 并与外延层表面形貌比较, 了解外延层表面形貌对发光强度分布测量 的影响;通过比较镜面加工样品的黄色发光强度分布、原子序数衬度、X 射线波谱及其分 布, 了解缺陷组成;进一步用高分辨透射电子显微镜观察缺陷微观构造.探讨各种性质的 联系和物理起源. 国家高技术研究发展计划(批准号:715-010-0022)和国家自然科学基金(批准号及福建省自然科学 基金(批准号:F9810004)资助的课题. 7 期 康俊勇等:GaN 外延层中的缺陷研究 1373 2 　实验样品与方法 实验所用GaN 样品是在蓝宝石衬底的(000 1)晶面上, 采用常压 M OVPE 法生长 [5] 的 .首先用H 和NH 混合气流氮化 1150 ℃的衬底表面, 然后将衬底温度降至550 ℃, 2 3 生长厚度约为20 nm 的缓冲层.最后将衬底温度升至 1050 ℃, 用三甲基镓和NH3 气体生 长厚度为4—6 μm 的外延层.生长后的非有意掺杂外延层透明, 且具有各种表面形貌.采 用 EOL SM-5300 扫描电子显微镜中背散射电子探测器, 观察无倾斜样品的表面形貌, 如图1 所示.在氮化3 min 的衬底上外延的样品A 表面, 宏观上呈镜面, 但在较高放大倍 数下, 可观察到许多微小的凹坑, 如图1(a)所示.在氮化20 min 的衬底上外延的样品B 表 面呈六角金字塔形小丘结构, 如图1(b)所示.6 个小面相交构成的晶棱在(0