国家标准太阳能级多晶硅片.DOCVIP

前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）负责归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、宁波晶元太阳能有限公司。 本标准主要起草人：万跃鹏、卢晓东、杜嘉斌、游达、段育红、钱吉勇。太阳能级多晶硅片 范围 本标准规定了太阳能级多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶硅切片生产的太阳能级多晶硅片。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 191 包装储运图示标志非本征半导体材料导电类型测试方法硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 14264 半导体材料术语 分类 外形尺寸分类 太阳能级多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方商定。 太阳能级多晶硅片规格系列 外形尺寸，mm 125×125 156×156 对角线，mm 175.36 219.21 硅片厚度，?m 160 180 200 220 要求 外观要求 5.1.1 太阳能级多晶硅片外观要求表面洁净，无沾污、色斑、可视裂纹、穿孔、台阶、弯曲等可视缺陷； 5.1.2 太阳能级多晶硅片表面不可以有深度≤0.5mm,长度≤1.0mm,整片≤2处且无V缺口的崩边缺陷； 5.1.3 太阳能级多晶硅片表面不可以有深度≤0.5mm,长度≤0.5mm, 整片≤2处的缺角缺陷； 5.1.4 太阳能级多晶硅片表面不可以有深度≤0.5mm,长度≤0.5mm, 整片≤2处的硅晶脱落缺陷； 5.1.5 太阳能级多晶硅片表面不可以有深度≤0.5mm,只允许一边有，无限长的边缘缺陷； 5.1.6 太阳能级多晶硅片表面1cm的范围内晶格的数量≤10pcs/cm的缺陷。 尺寸规格要求 太阳能级多晶硅片的尺寸公差应符合表2的要求。 表2 太阳能级多晶硅片尺寸公差要求 项目 公差要求 任意边长，mm ±0.5 对角线，mm ±0.5 硅片厚度T，?m ± 10% TTV（五点厚度误差最大值），?m ≤ 20% 相邻两边的垂直度，° 90°±0.25° 单条线痕深度（Ry）最大处，?m ≤15，单面不允许出现2条以上的线痕 性能 太阳能级多晶硅片少子寿命裸测最小值≥1us； 太阳能级多晶硅片电阻率范围为1.0-3.0Ω·cm，或按需方要求提供； 导电类型: P型或按需方要求提供； 5.3.4 氧含量：太阳能级多晶硅片的氧含量应小于1×1018 actoms/cm3 ，或按需方要求提供。 5.3.5 碳含量：太阳能级多晶硅片的碳含量应小于5×1017 actoms/cm3 ，或按需方要求提供。 试验方法 太阳能级多晶硅片的分类按一般验证项进行检查； 太阳能级多晶硅片的外观检验通过目测配合几何量具检查； 太阳能级多晶硅片的外形尺寸用游标卡尺(最小精度值0.02mm)测量； 相邻两边的垂直度用万能角尺(最小精度值5′)测量； 线痕深度取单条线痕最大处用表面粗糙度测试仪在垂直线痕左右5mm范围内测量该线痕的极差值 （Ry），当存在多条线痕时应进行多次测量取最大值； 太阳能级多晶硅片厚度测量及TTV测量按GB/T 6618进行； 太阳能级多晶硅片少数载流子寿命测量按GB/T 1553进行； 太阳能级多晶硅片电阻率检验按GB/T 1552或GB/T 6616进行； 太阳能级多晶硅片导电类型检验按GB/T 1550进行； 太阳能级多晶硅片的氧含量检验按GB/T 1557进行； 太阳能级多晶硅片的碳含量检验按GB/T 1558进行。 检验规则 检验分类 检验分：出厂检验和型式试验。 出厂检验 每批产品应经供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并附有产品质量合格的技术文件，方可出厂； 出厂检验项目包括4.1、5.1、5.2、5.3.2、5.3.3项。 判定规则 每批产品的检验项目均采用抽样检