陶瓷电容选型指导.docVIP

目录 1.目的 3 2.适用范围 3 3.陶瓷电容器知识介绍 3 （1）陶瓷电容器简单介绍 3 （2）陶瓷电容的分类 4 （3）陶瓷电容的封装 7 （4）陶瓷电容的材料特性 7 （5）陶瓷电容的制造工艺和内部结构 8 4.陶瓷电容主要性能参数介绍 9 5.陶瓷电容的失效 14 （1）陶瓷电容的失效模式 14 （2）电容器失效案例介绍 15 （3）其它电容器失效案例（见下附件） 18 6.陶瓷电容选型说明 18 7.拓展部分 22 1.目的 提升技术人员对陶瓷电容器件的了解水准，并通过后续不断升级和完善,可形成具有实际指导性的文件； 避免电路设计不匹配，器件选型，器件替代错乱等。 2.适用范围 本指导书适用于对陶瓷电容的知识学习，设计选型参考及替代。 3.陶瓷电容器知识介绍 （1）陶瓷电容器简单介绍 陶瓷电容器是电介质为陶瓷体（如ABO3型的BaTiO3材料）的一类电容器。二十世纪初意大利的隆巴迪发明了陶瓷介质电容器；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使其介电常数成倍地增长,从而可以制造出较便宜的瓷介质电容器；40年代初人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将陶瓷电容器使用在体积小、精度要求又极高的军事用电子设备当中；陶瓷叠片电容器则于1960年左右才作为商品开始开发。到了1970年，陶瓷电容随着混合IC、计算机以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件,现在陶瓷介质电容器的市场份额约占电容器市场的70%左右，其具有价格低、特性范围宽、容积效率高以及使用频率高等特点。目前陶瓷电容器的材料主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3（钛酸钡）, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容器相比陶瓷电容器具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产等优点，缺点是机械强度低，容易碎裂。 （2）陶瓷电容的分类 陶瓷电容器根据不同的特性，可以分为很多类： 根据频率，可以分为高频（CC型，也可称Ⅰ型）CT型，也可称Ⅱ型). 根据功能特性，可分为温度补偿型（CC型）、高诱电型（CS型）半导体型（CT型）. 根据介质材料、温度特性，一般可分为三类： Ⅰ类 NPO或COG（国内叫CC型） Ⅱ类 X5R、X7RY5P（国内叫CT型） Ⅲ类 Y5V或Z5U（国内叫CS型） Ⅰ类（也可称高频陶瓷电容器）是用介质损耗小，绝缘电阻高，介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制作的电容器。此类电容适用于损耗小和要求电容量极其稳定的高频电路，还可用于谐振回路、温度补偿等，其电性能最稳定，基本上不随温度、电压和时间的变化而改变，变化率一般是以ppm/℃来表示，其介电系数400左右，故电容量不能做的很大（一般在100PF以下）。它的填充介质一般由铷、钐和其它的一些稀有氧化物组成。 Ⅱ类（与Ⅲ类统称为低频陶瓷电容器）是用铁电陶瓷做介质的电容器，这类电容比容大，损耗比较大，电气性能较稳定，随温度、电压和时间的变化并不显著，适用于隔直、耦合、旁路与对容量要求不高的电路，其介电系数较大（可达1200），故电容量可做的很大，相同的体积，其容值比Ⅰ类的大20～70±15%。 Ⅲ类 也是用铁电陶瓷做介质的电容器，此类电容比容较Ⅱ类要大，容量和损耗对温度、电压很敏感，稳定性很差。但其等效串联电阻（ESR）(ESL)低，具有良好的频率响应，主要应用在退耦电路中，其介电系数更大（可达1000～120005倍。其容值随温度的变化率为-82%～+22%（1）（2）EIA-198-D） 表（1）C 0.0 0 -1 G ±30 M 1.0 1 -10 H ±60 P 1.6 2 -100 J ±120 R 2.2 3 -1000 K ±250 S 3.3 5 +1 L ±500 T 4.7 6 +2 M ±1000 U 7.5 7 +3 N ±2500 8 +1000 备注说明 由于Ⅰ类性能稳定，基本不随温度而变化，所以它的温度变化率很小，一般用ppm/℃来表示。 例如：电容材质为S2H的温度特性： S表示温度系数的有效数字为3.3 2表示有效温度系数的倍乘 即： 3.3*（-100）= -330 H表示随温度的容差为±60 ppm/℃ 所以S2H的温度特性就是-330±60 ppm/℃ 表（2）Ⅱ类、Ⅲ类温度系数 分类代码 第一位 第二位 第三位 Ⅱ类、Ⅲ类 最低工作温度(℃) 最高工作温度(℃) 容值变化率(%) X -55 4 +65 A ±1.0 Y -30 5 +85 B ±1.5 Z +10 6 +105 C ±2.2 7 +125 D ±3.3 8 +150 E ±4.7 F ±7.5 P ±10 R ±15 S ±22 T +22/-33 U +22/-56 V +22/-82