直拉单晶炉-温度梯度与单晶生长-热场的调整.pptx

直拉单晶硅工艺技术主讲教师：裴迪石油化工学院热场的温度梯度 (1)热场的概念 热场也称温度场。热系统内的温度分布状态叫热场。煅烧时，热系统内的温度分布相对稳定，称为静态热场。在单晶生长过程中，热场是会发生变化，称为动态热场。 单晶生长时，由于不断发生物相的转化(液相转化为固相)，不断放出固相潜热，同时，晶体越拉越长，熔体液面不断下降，热量的传导、辐射等情况都在发生变化，所以热场是变化的，称为动态热场。 (2)温度梯度的概念 为了描述热场中不同点的温度分布及分布状态，下面给大家介绍一个“温度梯度”这个概念。 温度梯度是指热场中某点A的温度指向周围邻近某点B的温度的变化率。也即单位距离内温度的变化率。 如下图所示，A点到B点的温度变化为T1-T2 ，距离变化为r1-r2 。那么A点到B点的温度梯度是： 通常用 表示在 r 方向上的变化率。 显然两点间的温度差越大，则 越大，则温度梯度越大，反之，两点间温度差越小，则 越小，则温度梯度越小，如果 说明由A点到B点温度是升高的，如果 说明由A点到B点的温度是下降的。(3)静态热场的温度分布下图为静态热场的温度分布状况：沿着加热器中心轴线测量温度的变化发现加热器的中心温度最高，向上向下都是逐渐降低的，它的变化率称为纵向温度梯度，用 表示。 然后沿着轴线上某点沿着径向测量，发现温度是逐渐上升的，加热器中心温度最低，加热器温度最高，成抛物线变化，它的变化率称为径向温度梯度，用 表示。(4)晶体生长时的温度梯度 单晶硅生长时，热场中存在固体、熔体两种形态。温度梯度也有两种：晶体中的纵向温度梯度和径向温度梯度。熔体中的纵向温度梯度 和径向温度梯度。 这是两种完全不同的温度分布，但是最能影响结晶状 态的生长界面处的温度梯度。热场的径向温度梯度，包括晶体 、熔体、固液交界面 三种晶向温度梯度。 ①晶体的径向温度梯度是由晶体的纵向、横向热传导，表面辐射以及在热场中新处的位置决定，一般来说，中心温度高高，晶体边缘温度低。 ②熔体的径向温度梯度 主要是靠四周的加热器决定的，所以中心温度低， 靠近坩埚处温度高，径向温度梯度总是正数。③ 在晶体生长过程中，结晶界面处的径向温度梯度 是变 化的，将晶体纵剖，作结晶界面显示，如下图所示。晶体生正过程中 变化情况总之，合理的热场的温度分布需要满足以下条件： ①晶体中纵向温度梯度 足够大，但不能过大，保证晶体生长中有足够散热能力，带走结晶潜热。 ②熔体中的纵向温度梯度 比较大，保证熔体内不产生新的晶核，但是，过大容易产生位错，造成断苞。 ③结晶界面处的纵向温度梯度 适当的大，从而形成必要的过冷度，使单晶有足够的生长动力，不能太大，否则会产生结构缺陷，而径向温度梯度要尽可能小， ，使结晶界面趋于平坦。 从示意图看出，以加热器中心线为基准，中心温度最高，向上和向下温度逐渐降低，它的变化率称为纵向温度梯度，用dy/dT表示。加热器径向温度内表面，中心温度最低，靠近加热器边缘温度逐渐增加，成抛物线状，它的变化率为径向温度梯度，用dx/dT表示。晶体生长时，单晶硅的纵向温度梯度粗略地讲：离生长界面越远，温度越低，即0。如图M-TA段所示。TA为结晶温度，虚线表示液面。晶体的纵向温度梯度各种不同温度梯度 及晶体生长情况热场的调试与配制 热场配置是将加热器、保温罩、保温盖、石墨托碗等组成一些几何形式，改变单晶炉内的温度分布状况。主要改变熔硅和熔硅上部空间的温度分布状况。不同的加热器、保温罩、保温盖等器件组成不同的几何形状，形成不同热场。热场的组合形状，通常分为内梯形罩，外梯形短平保温罩热场。 目前的热场配置大部分为内梯形，内梯形又有高罩和矮罩之分。保温罩绝大部分采用高纯石墨制成，也可在第二层加一层钼薄板。国外通常采用短平罩热场，加保温盖，两层石墨中间放碳毡。碳毡保温性能好，节省能源。热场组成比较简单，操作方便。 石墨托碗有平底（杯形）和半球形，目前趋向于采用平底托碗。托碗厚薄影响热场稳定性。厚托碗热惯性大，热场反应慢，温度较稳定，薄托碗热惯性小，热场反应快，温度容易调整。 好的热场正拉晶过程顺利，拉出的单晶电阻率均匀性好，结构缺陷少，质量高。不好的热场下拉晶操作复杂，拉出的单晶电阻率均匀性差，结构缺陷较多，质量较差。在不好的热场下拉晶，还很不容易成单晶或在拉晶中途产生大量结构缺陷或变成多晶。这都是由于热场纵向梯度过小造成的。 由热系统组成的热场是一个有机的整体，调整纵向温度梯度时，径向温度梯度也会变化。同样的热场，在不同拉晶条件下纵向温度梯度也不相同；真空条件下，纵向温度梯度较小的热场，气氛条件下纵向温度梯可能很大，流动气氛下更大。减压拉晶时可能适合。总之，热场温度梯度大小不但决定于热系统影响，还决定于拉晶条件。