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Applied Physics 应用物理, 2014, 4, 76-84 Published Online May 2014 in Hans. /journal/app /10.12677/app.2014.45011 The Influence of Different Gate Oxide Thickness on Carbon Nanotube Transistors Wenjuan Yu Faculty of Science, Ningbo University, Ningbo Email: yuwj88666@126.com th nd th Received: Apr. 12 , 2014; revised: May 2 , 2014; accepted: May 10 , 2014 Copyright © 2014 by author and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). /licenses/by/4.0/ Abstract In this thesis, non-equilibrium Green function theory is applied to calculate random-telegraph- signal (RTS) noises caused by a single defect in gate oxide of carbon nanotube field-effect (CNFET) transistors. We investigate systematically how RTS noises depend on gate oxide thickness and discuss the RTS noises with two different situations: a single layer and a composite layer. Keywords Carbon Nanotube, Field Effect Transistor, Non-Equilibrium Green Function, Random Telegraph Signal Noise 介质厚度不同对碳纳米管场效应晶体管的影响 余文娟 宁波大学理学院，宁波 Email: yuwj88666@126.com 收稿日期：2014年4月12 日；修回日期：2014年5月2 日；录用日期：2014年5月10 日 摘 要 本文运用非平衡格林函数理论，计算碳纳米管场效应晶体管栅极氧化层中由一个缺陷电荷引起的无规则 76 介质厚度不同对碳纳米管场效应晶体管的影响 电报信号杂音。文章模拟计算了该杂音强弱与栅极氧化层厚度的依赖关系，研究单层和复合绝缘层两种 不同情况下碳纳米管场效应晶体管中的无规则电报信号杂音。 关键词 碳纳米管，场效应晶体管，非平衡格林函数，无规则电报信号杂音 1. 引言 碳纳米管具有高强度和稳定性，依据其手性角和半径可以呈现出金属性或半导体性[1]，由于这些电 学性能，很多研究都预期碳纳米管会在场效应晶体管中有新的应用前景。通过不断地对尺寸和电极进行 改进，实验室已制备高性能的碳纳米管场效应晶体管[2] [3]。 一般各种电子材料都观测到无规则电报信号杂音[4]，这种杂音其实是在两种或多种电流值之间随机 变换。实验中已经观察到碳纳米管中由于个别缺陷引起的无规则电报信号杂音[5]，而且已经观察到其强 度高达60% 以上[6]。理论研究同样也发现在碳纳米管场效应晶体管栅极氧化层中由缺陷电荷引起的大幅 度