结型场效应三极管-Read.PPTVIP

2.2.3 结型场效应三极管 (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。 JFET的结构如图02.19所示，它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是 漏极，另一端 是源极。 图02.19 结型场效应三极管的结构(动画2-8） (2) 结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没 有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对 于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅 压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则 将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作 原理。 ① 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在 漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。 当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变 窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应 的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。这一过程如图 02.20所示。 ②