载流子散射半导体的主要散射机构.PPTVIP

第4章 半导体的导电性 本章主要讨论载流子在外加电场资源下的 漂移运动，半导体的迁移率、电阻率随杂质浓 度和温度的变化规律。为了深入理解迁移率的 本质，引入了散射的概念。定性讲解了强电场 下的效应，并介绍了热载流子的概念。应用谷 间散射解释耿氏效应。 §4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.1欧姆定律 欧姆定律 为了半导体内部常遇到电流分布不均匀的情况， 推导出欧姆定律的微分形式 式中 σ=1/ρ为半导体电导率。 §4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.2 漂移速度和迁移率 无外场时，半导体中的载流子作无规则的热运动 在外电场下，载流子受到电场力F 总的效果是，载流子在电场力的作用下作定向运动—漂移运动： dv/dt=(1/m*)F §4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.2 漂移速度和迁移率 §4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.2 漂移速度和迁移率 §4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.3 半导体的电导率 §4.2 载流子散射§4.2.1 载流子散射的概念 §4.2 载流子散射§4.2.2 半导体的主要散射机构 §4.2 载流子散射§4.2.2 半导体的主要散射机构 2.晶格散射 （1）声学波和光学波 晶格振动：晶体中的原子在其平衡位置附近作微振动 格波：晶格振动可以分解成若干基本振动, 对应的基本波动