数字电路第7章(半导体存储器)_3.ppt

第7章 半导体存储器 第7章 半导体存储器 本章内容 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 第7章 半导体存储器 内容提要 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 （2） 二极管ROM电路 （2） 二极管ROM电路 （2） 二极管ROM电路 （2） 二极管ROM电路 （2） 二极管ROM电路 （2） 二极管ROM电路 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 7.2.2 可编程只读存储器（PROM ） 7.2.2 可编程只读存储器（PROM ） 7.2.2 PROM 7.2.2 可编程只读存储器（PROM ） 7.3 随机存储器（RAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 下图为1024×4位的RAM2114的逻辑符号图及工作原理图： 存储矩阵：2114中有64行×（16×4)列＝4096个存储单元（每个存储单元都是由6个NMOS管组成）。 （2） SRAM的静态存储单元 （2） SRAM的静态存储单元 （2） SRAM的静态存储单元 （2） SRAM的静态存储单元 （2） SRAM的静态存储单元 7.4 存储容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 下图是用8片1024×1的RAM构成1024×8的RAM接线图。 7.4.2 字扩展方式 7.4.2 字扩展方式 每一片256×8的A0～ A7可提供28＝256个地址，为0～0到1～1，用扩展的字A8、 A9构成的两位代码区别四片256×8的RAM，即将A8、 A9译成四个低电平信号，分别接到四片256×8RAM的CS ?，如下表 四片256×8RAM地址分配为 实现的电路如图所示 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 其连线图如图所示 习题 题7.1 题7.8 题7.10 题7.14 例如：试用ROM产生下列一组组合逻辑函数 解：首先将所给的逻辑函数展成最小项之和的形式。 由于要实现的是4个逻辑函数，且逻辑函数为4变量的，所以需要4位地址输入和4位数据输出，故选16×4的ROM实现。 PROM的整体结构和掩模ROM一样。存储单元不同。 出厂时，在存储矩阵的所有交叉点上制作了存储元件。 三极管的 “be结” 接在字线和位线之间，相当于二极管。 快速熔断丝接在发射极，当想写入0时，只要把相应的存储单元的熔断丝烧断即可。 （1）PROM的电路结构 图为16×8位PROM结构原理图； 写入时要使用编程器。 （1）PROM的电路 PROM一旦写入则无法更改，只可写一次； 为了能够经常修改存储的内容，满足设计的要求，需要能多次修改的ROM，这就是可擦除重写的ROM。这种擦除分为紫外线擦除（EPROM）和电擦除E2PROM，及快闪存储器（Flash Memory）。 需要周期性地修改被存储的数据表的场合。 CMOS 低功耗；编程快（每个字节编程100μs，整个芯片0. 5s）；擦写次数多（通常可达到10万）与E2PROM比较：容量大、价格低、可靠性高等优势。 可以整体电擦除（时间1S）和按字节重新高速编程。 Flash Memory 作为非易失性RAM使用。 集成度和速度不及EPROM,价格高,擦写在原系统中在线进行。 实现全片和字节擦写与改写 E2PROM 适用于研究工作不适用批量生产 用户可以对芯片进行多次编程和擦除。 固化程序用紫外线光照5~15min擦除，擦除后可重新固化数据。 EPROM 适用于批量生产不适用研究工作 用户使用特殊方法进行编程,只能写一次,不能修改 内容只能读出，不能改变. PROM 适用于批量生产不适用研究工作 半导体厂家用掩膜技术写入程序,成本低 内容只能读出，不能改变. 掩膜ROM 用途 特点 信息存取方式 种类 随机存储器也叫随机读/写存储器，即可以随时从任一指定的地址读出数据，也可随时将数据写入指定的存储单元。 优点：读、写方便，使用灵活。 缺点：存入的数据易丢失（即停电后数据随之丢失）。 分类： 静态随机存储器（SRAM） 动态随机存储