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第5章 微机的存储系统 1．教学目的和要求 （1）了解存储系统的组成和分类； （2）掌握常用存储器的应用； （3）理解存储器的管理。 2．教学内容 （1）半导体存储器的分类； （2）存储器与CPU的连接及扩展； （3）存储器的管理。 3．教学重点与难点 重点： 存储器应用； 难点： 存储器管理。 本章将介绍微机的存储系统的组成和层次结构；各种半导体存储器（ROM和RAM）的结构、工作原理和主要特征、常用的组成半导体存储器的芯片；简述新型的非挥发随机存取存储器；最后对PC机存储器的组织与管理作了概括。 5.1 微机的存储系统的组成 计算机系统中，按与CPU的关系，存储系统可分为内存与外存。内存是内部存储器的简称，又称为主存。计算机硬件系统中的外存即外部存储器，又称为辅助存储器，简称辅存或外存。 微型计算机中存储系统的分层结构如图5-1所示 图5-1存储系统的分层结构 5.1.1 半导体存储器分类 半导体存储器分类：按制造工艺分为MOS型和双极型两大类。半导体存储器一般都是MOS型存储器。 MOS型半导体存储器分类：从应用角度分为只读存储器ROM和随机存取存储器RAM。 5.1.2 存储器的结构 存储器从结构上可分为存储体、地址译码电路及片选和读写控制逻辑三部分。 1.存储体 存储体是存储器芯片的主要部分，用来存储信息。每个存储单元具有一个唯一的地址， 可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据。 2.地址译码电路 分为单译码结构、双译码结构。根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元。双译码分X、Y轴排列方式，可简化芯片设计。如图5-2所示，（a）为单译码电路，（b）为双译码电路。 图5-2地址译码电路 3.片选和读写控制逻辑 “片选和读写控制逻辑”是为了选中存储芯片，控制读写操作。 （1）片选端CS或CE：有效时，可以对该芯片进行读写操作。 （2）输出OE：控制读操作。有效时，芯片内数据输出，该控制端对应系统的读控制线。 （3）写WE：控制写操作。有效时，数据可存入芯片中，该控制端对应系统的写控制线。 5.1.3 存储器的性能指标 存储器的种类很多，所以使用存储器时，我们要考虑各种因素及其性能指标。存储器的性能指标主要有存储容量、存取时间、存取速度、可靠性、体积、功耗、工作温度范围、成本等。 1.存储容量 存储容量＝存储单元数×存储单元的二进制位数＝2M×N （M为芯片的地址线根数，N为芯片的数据线根数） 2.最大存取时间 最大存取时间和存取周期说明了存储器工作速度。 3.可靠性 存储器的可靠性指存储器对电磁场及温度等的变化的抗干扰能力。半导体存储器因采用大规模的集成电路的工艺，可靠性较高。 5.2 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器RAM的特点是它的存储单元的内容可根据需要随时读出或写入。但断电后，其存储的信息也会随着消失。 5.2.1 静态随机存取存储器SRAM 静态随机存取存储器SRAM结构简单，连接电路也方便，多数是由MOS管组成的双稳态触发器集成在硅晶片上而构成。 1.静态随机存取存储器SRAM的结构 （1）基本存储电路 静态随机存取存储器如图5-3所示。 图5-3基本存储电路 (2)SRAM组成结构 SRAM结构由存储体和外围电路（行/列地址译码器、I/O缓冲器和读写控制电路等）组成，如图5-4所示。 图5-4 SRAM结构 2.SRAM的读/写过程 SRAM的读出过程是先通过12位地址A0～A11加到RAM芯片的地址输入端，经X与Y地址译码器译码，分别产生一根行选信号与一根列选信号，选中行列交叉点上的存储单元。 3.常用的SRAM存储器 （1）同步突发静态随机存取存储器SB SRAM （2）多端口静态随机存取存储器Multi-SRAM （3）先进先出存储器FIFO SRAM （4）非挥发静态随机存取存储器NV SRAM 5.2.2 动态随机存取存储器DRAM DRAM特点有存储密度高，存取速度相对较慢，且需要定时刷新电路，否则所存储的内容会丢失。DRAM用于大容量存储，一般用作计算机的主存储器（主存）。 1.DRAM的基本存储电路与存储器结构 （1）DRAM单管基本存储电路 如图5-5所示为DRAM基本存储电路多为单管电路，只有一个管子T和一个(寄生)电容C，单个基本存储电路存放的是“1”还是“0”，取决于电容器的充电状态。 2.常见的DRAM存储器 （1）早期DRAM （2）FPM DRAM （3）EDO DRAM （4）SDRAM （5）SLDRAM （6）DDR SDRAM （7）RDRAM （8）铁电随机存取存储器FRAM （9）磁随机存取存储器MRAM 5.3 只读存储器（ROM） 只读存储器ROM(Read Only Memory)