量子点材料的制备.pptVIP

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  • 2017-11-12 发布于江西
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量子点材料的制备

(1)、方案 1、实验汇报 合成 成核温度:270 ℃ 生长温度:250 ℃ (2)、要点 1、实验汇报 前驱的制备 硒前驱的制备: a.硒粉的储存必须在无氧环境下,若氧化,所制备的半导体纳米晶溶液在365nm紫外光照射下因失效而不亮; b.Se/ODE前驱溶液的反应温度为190~200℃,其颜色主要变化过程为:黑色→紫色→黄色→淡黄色;反应温度过高或过低,都无法制备出半导体纳米晶溶液; (2)、要点 1、实验汇报 合成——成核 成核温度: 必须控制并保持在270℃:因温控仪精度差异,使温度显示呈无规律的波动,且有时振幅较大,甚至达到30℃,影响半导体纳米晶的制备。若温度控制理想,其成核退火时间为10min即可;若控制不好,必须留心观察其反应颜色的变化(这是整个合成反应的核心);总之需要根据反应情况确定ZnSe核的退火时间。 成核过程中必须有一个浅黄色→深棕色的变化过程;如无此变化过程,则所制备的半导体纳米晶溶液在365nm紫外灯下不亮。 (2)、要点 1、实验汇报 合成——生长 生长温度: 必须控制并保持在250℃下滴注:因温控仪精度原因,其温度显示波动较大,影响半导体纳米晶的制备。若振幅过大,会影响其ZnS壳层的生长,所制备的半导体纳米晶溶液不会呈现光亮的淡黄色。 生长不理想时,纳米晶溶液在36

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