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2 半导体二极管及基本电路 3、最重要特性： 单向导电性：正向导通，I很大，反向截止，I很小≈0。 正向接法： 反向接法： 最大允许正向电流 最高反向工作电压，避免被击穿 最高工作频率， 材料： A——N型锗材料 B ——P型锗材料 C ——N型硅材料 D ——P型硅材料 功能符号： P——普通管， Z ——整流二极管 W ——稳压管 K ——开关管 C——变容二极管 半导体的基本知识 半导体分类： 半导体特性： 光敏性 热敏性 掺杂性 二、本征半导体、空穴及其导电作用 动画1-1 电子空穴对 外加能量越多（温度越高），产生的电子空穴对越多,本征激发加剧。 与本征激发相反的现象——复合（电子-空穴成对消失） 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度是一定的。 常温300K时： 三、杂质半导体 N型半导体 2、P型半导体（空穴型半导体） P型半导体 一、PN结的形成 扩散运动——在浓度差作用下载流子的定向运动 —— 扩散电流 漂移运动——在电场作用下载流子的定向运动 —— 漂移电流 当扩散＞漂移时，扩散继续进行,造成载流子的进一步耗尽，交界面宽度增加 电荷量的增加造成内建E增强 漂移运动增强 最后两者达到动态平衡（ ） 在交界面处形成宽度，电荷量稳定的空间电荷区 PN结 二. PN结的单向导电性 2、加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 根据理论分析得其特性表达式 (P36式2.2.1)： 4. PN结的电容效应（P41） (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 当外加正反向电压不 同时，PN结两侧堆 积的少子的数量及浓 度梯度也不同，这就 相当电容的充放电 过程。 半导体二极管 正反向特性（各分两段） 三、半导体二极管的参数（P41） 模型分析法:D为非线性器件,其实际物理特性十分复杂,都须用相应的模型来表示. 二极管基本电路分析 3. 折线模型（实际模型） Q——静态工作点（VQ,IQ直流）， 二极管对叠加在Q点上的微小增量(交流)而言，等效为一电阻——小信号模型的微变电阻，其值即为该直线段斜率（≈Q点的斜率）的倒数。(P46-47) A直流模型（一般模型）：①理想模型（工作于大电压＞＞D的导通电压）②恒压降模型：③折线模型（实际模型）：考虑整个D的体电阻 直流电路分析： 1、判断D的导通与截止， 2、D的工作点Q的计算（VDQ，IDQ） B交流模型（小信号模型） 二、二极管电路分析 （1）估算法 a.判断二极管是导通还是截止？ 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端的电位。 1、理想二极管： 若某管阳极电位大于阴极电位，则接上二极管后，该管导通；反之，二极管截止。 2、实际二极管： 若某管阳极电位与阴极电位之差大于导通电压（Vth），则该管导通；反之，二极管截止。 当电路中存在多个二极管时，存在优先导通权，正偏电压最大的管子优先导通。将优先导通的二极管接入电路中，重新分析其它二极管 的工作状态。 例：二极管电路如图，判断图中二极管是导通还是截止？并确定各电路的输出电压VO。设二极管的导通压降为0.7V。 解:首先将二极管D1和D2断开，求两管将承受的电压。对D1管：VB1A=VB1-VA=[0-（-12）]V=12V；对D2管：VB2A=VB2-VA=[(-15)-（-12）]V=-3V。二极管接入后，D1正偏电压大而处优先导通状态， 例1： 例2： 例4： 例5： 例6： 例9： 开关电路P50 小信号分析法 3，若vi(t) =10sinωt（mV），当信号 试求输出电压。 特殊二极管 稳压管的稳压过程 举例 （4）稳压D的耗散P=1W，R=47欧，检验稳压管的最大耗散功率 .(3)为保证稳压管可靠击穿，问负载的最小值。 2.5.2变容二极管 结电容随反向电压的增大而减小的电容效应制成的D。 主要是得用PN结的势垒电容效应做成的。（C较小） 高频调频电路中、常用其组成压控电容。 2.5.3光电子器件 一、光电二极管——光敏二极管 （光→电能的器件） 在光照射下，外加反偏时D的反向电流∝入射光强度—— 光流 二、发光二极管（LED）： （电→光能的器件） 正向电压，电流满足要求时，D发光，可用作指示灯。 PN结外加正偏时，发光亮度∝正向工作电流（多子复合而发光），不同的半导体材料，辐射不同颜色的光。如磷砷化镓：红光或黄光。磷化镓：红光或绿光。氮化镓：蓝光。砷化镓：不可见的红外光等。 三、激光二极管 应用：7段数字显示器：光电耦合器： 光传