电气传动教学资料-3-1-MOS场效应管.pdfVIP

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2017-11-13 发布于浙江
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电气传动教学资料-3-1-MOS场效应管.pdf

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第三章场效应晶体管及其放大电路场效应晶体管是一种利用电场强度控制管导电特性的半导体器件。输入阻抗高热稳定性好与双极型晶体管相比较，噪声小目前的大规模集场效应的成电路大都由抗辐射能力强场效应管集成。体积小、集成度高，耗电少绝缘栅场效应管（IGFET) 根据结构和工作原理，场效应管可分类为：结型场效应管（JFET) 1 大功率场效应管，如VDMOS管， IGBT管 3.1 MOS 场效应管（绝缘栅场效应管）以N沟道增强型MOS管为例结构特点：源极栅极漏极 S G D 在一种类型的半导体衬底上光刻扩散出两个高掺杂的另铝一类型的区域作为源极S 和漏极D ， SiO 绝缘层 2 在源漏极之间的衬底上生成一二氧化硅绝缘层，再在其上蒸发出一层金属铝作为栅极G 。 + + 衬底 N N 耗尽 L 层 W 符号： P 型衬底沟道由于栅极与衬底之宽度 D 间有二氧化硅绝缘层，故称绝缘栅场效应管。又由于从沟道 G B 栅极到衬底依次为 B 长度金属(M)、氧化物衬底极 (O)、半导体(S)，故 S 又称为 MOS场效应管。 N沟道增强型 MOS场效应管的结构示意 2 MOS技术的发展是集成电路源极S 栅极G 漏极快速发展的一个主要标志。 D