内存和总线-Read.PPTVIP

内存和总线 内存类型 静态(SRAM)和动态(DRAM) 静态随机存取内存（Static Random Access Memory，SRAM）是半导体内存的一种，属随机存取内存（RAM）一类。所谓的“静态”，是指这种内存只要保持通电，里面储存的资讯就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取内存（DRAM）里面所储存的资料就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，其内储存的资料还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或快闪存储器仍然是不同的。只是，相对于DRAM，SRAM在断电后资料消失的速率会比较慢些。 在同样的运作频率下，由于SRAM对称的电路结构设计，使得每个记忆单元内所储存的数值都能以比DRAM快的速率被读取。除此之外，由于SRAM通常都被设计成一次就读取所有的资料位元（Bit），比起高低位址的资料交互读取的DRAM，在读取效率上也快上很多。因此虽然SRAM的生产成本比较高，但在需要高速读写资料的地方，如电脑上的快取（Cache），还是会使用SRAM而非DRAM。 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元（bit）是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，“静态”存储器（SRAM）只要存入资料后，纵使不刷新也不会遗失记忆。 与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单－－每一个位元的资料都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个位元通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有存取速度较慢，耗电量较大的缺点。 VRAM又称为影像型动态随机存取存储器（Video RAM），是一种具有两个端口的DRAM，主要用于影像处理相关的电路中。第一个端口与一般DRAM相同，具有存取资料的功能。另一个端口只允许读取的功能，以方便影像显示时需要快速送出大量的资料。 PSRAM又称为虚拟静态随机存取存储器（Psudo SRAM），是一种具有内建周期性更新，接口操作像SRAM的存储器，但是其记忆单元仍然采用DRAM的结构。这种存储器综合了SRAM接口的简易性与DRAM的高密度优点。 Synchronous DRAM（SDRAM）提供同步的存取接口，所有行为都会听从一个同步时脉讯号才会做动作，并且可以做较复杂的pipeline存取。相对于其他DRAM则是异步的存取接口，会尽可能的立即对控制输入作反应。SDRAM在西元1996年出现。由于SDRAM速度较快，西元2000年取代了电脑使用的其他形式DRAM。 Pipeline指前一个指令未完成前就可以再接受另一个指令。pipelined写的指令，不用等到存储器内部完成写的动作便可以马上接受下个指令。 而pipelined读的指令则需要再等几个固定的clock pulse后，资料才会出现。资料出现前便可以接受下个指令。这种资料延迟出现的程度是购买SDRAM时需要考量的重要参数。 SDRAM chip是以最大时脉速率（maximum clock rate）以及读取延迟周期时间（read cycle time）来评等。最大时脉速率跟最大带宽成正比，并且关系到内部state machine及接口电路的速度。读取延迟周期时间影响读取资料等待的时间。 双通道同步动态随机存储器（双通道同步动态随机存取内存）即DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 为具有双倍资料传输率之SDRAM，其资料传输速度为系统时脉之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。 DDR2 SDRAM（double-data-rate two synchronous dynamic random access memory），中文译作双通道两次同步动态随机存取内存，是一种的电脑内存。它是属于SDRAM家族的内存产品，是DDR SDRAM（双通道同步动态随机存取内存）的后继者，是现时流行的内存产品。 DDR2与DDR的区别 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 总线 总线又称计算机总线或系统