高等电力电子技术课件作者张兴等第九章节.pptVIP

4. 门极损耗 门极损耗指器件开关过程中消耗在晶闸管门极、晶体管基极、或IGBT栅极等上的功率。一般情况下，这部分的功率损耗与器件的其他部分损耗相比可以忽略不计，但对于GTO、GTR等通态电流比较大的功率器件则需要特殊考虑。这是因为：GTO关断大电流所需的控制极关断电流较大；而GTR正向电流增益较小，当集电极电流较大时，基极电流 也较大，且基极-发射极饱和压降 往往远大于集电极-发射极饱和压降 ，因此，当GTR和GTO在通态电流较大时门极损耗较大，门极损耗 可按下式计算。即： 9.2.1 开关器件的功率损耗 在VVVF变频器中，由于采用PWM控制以输出正弦波电流，因而流经其主电路功率器件（如IGBT等）的电流及占空比不断变化，从而给VVVF变频器中功率器件耗散功率的估算增加了难度。下面以VVVF变脾气三相逆变桥为例，讨论其中功率器件的耗散功率估算问题。 9.2.2 VVVF变频器中功率器件损耗 功率的分析 （VVVF）变频器主电路和输出电流波形 1. 功率开关的通态和开关功耗 在VVVF变频器主电路中，每一个功率开关的通态功耗 为 式中， 为正弦波输出电流