电路与模拟电子技术原理课件作者胡世昌第6章节2晶体管.pptVIP

电路与模拟电子技术原理 第六章 半导体元器件 第6章 半导体元器件 6.1 从电子管到晶体管 6.2 半导体 6.3 半导体二极管 6.4 晶体管 6.5 场效应晶体管 6.4 晶体管 6.4.1 晶体管的基本结构 6.4.2 晶体管的工作原理 6.4.3 晶体管的特性 6.4.4 晶体管的应用 6.4.1 晶体管的基本结构 晶体管的基本结构（续） 晶体管不止是连接在一起的两个二极管→→重要特征：电流放大作用 晶体管之所以能够具有电流放大作用，是因为其内部构造上的特点： 基区很薄， 发射区掺杂浓度高， 集电结面积大。 6.4 晶体管 6.4.1 晶体管的基本结构 6.4.2 晶体管的工作原理 6.4.3 晶体管的特性 6.4.4 晶体管的应用 6.4.2 晶体管的工作原理 1．晶体管的放大 2．晶体管的饱和 3．晶体管的截止 4．晶体管的倒置 5．晶体管放大电路的三种组态 1．晶体管的放大 如果发射结正偏、集电结反偏，晶体管将处于放大状态 IC=βIB 上式说明，当发射结正偏、集电结反偏时，IC的值受IB的值控制， 或者说，IC放大了IB，这里“放大”的实质是控制。 晶体管的放大（续） 晶体管放大状态特征方程 已知放大状态特性 IC=βIB 根据KCL　　IB+IC=IE 得到　　　　IE=(1+β)IB 由于β值比1大得