V高阶率补偿CMOS带隙基准源.docVIP

  • 5
  • 0
  • 约4.17千字
  • 约 8页
  • 2017-11-23 发布于江苏
  • 举报
V高阶率补偿CMOS带隙基准源

1.5-V高阶曲率补偿CMOS带隙基准源 摘要 此报告中设计了一种新的低电平,低噪声,高阶曲率补偿CMOS带隙基准源。此带隙电路用两个电阻串来减小电源电压。此外,由高阻抗的多晶硅电阻和扩散电阻产生的热敏电阻比来提供高阶补偿。此所设计的带隙基准电压源能在1.5V电源电压下工作(此时0℃时Vth=0.9V),它的温度系数小于15.2ppm/℃,平均电源调整率为5.5mV/V。 1.简介 基准电压源是许多电子元器件的主要组成,例如电源转换器,数字转化器,射频电路。温度对带隙基准电压源的影响毫无疑问会影响它的性能。因此低电平,低功率,低温飘带隙基准电压源在工业生产中越来越重要。事实上,许多现有的技术都能减小基准电压源的温度系数,如Song等人提出的二次温度补偿, Rincon-Mora等人提出的分段线性曲率校正。Audy和Lewis等人分别提出了更简单的基于热敏电阻比来加以实现的二阶和三阶曲率补偿带隙基准源。这个方法被Leung等人进一步发展为高阶曲率补偿用于CMOS带隙基准电压源的设计。 曲率补偿CMOS带隙基准电压源利用一个负温度系数的高阻抗多晶硅电阻和一个正温度系数的扩散电阻来产生一个热敏电阻比,以此能够有效地减少此带隙基准源的温度漂移。以上电阻都能在CMOS工艺中实现。有过报道的最低工作电源电压为2V,这对于将来的应用还远不够低。 为了未来应用中进一步减小所要求的电源电压,这里提出

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档