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一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼.PDF
一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼
董艳芳 何大伟 王永生 许海腾 巩哲
SynthesisoflargesizemonolayerMoS withasimplechemicalvapordeposition
DongYan-Fang HeDa-Wei WangYong-Sheng XuHai-Teng Gong Zhe
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,128101(2016) DOI: 10.7498/aps.65.128101
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.128101
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I12
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 12 (2016) 128101
一种简单的化学气相沉积法制备
大尺寸单层二硫化钼
董艳芳 何大伟 王永生 许海腾 巩哲
1)(北京交通大学, 发光与光信息技术教育部重点实验室, 北京 100044)
2)(北京交通大学光电子技术研究所, 北京 100044)
( 2016 年3 月9 日收到; 2016 年3 月18 日收到修改稿)
最近单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电等领域中的潜在应用而备受关注. 化学
气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼, 但其制备工艺比较复杂. 本文采用简化的
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备出了大尺寸的单晶二硫化钼. 清洗衬底时, 只需要简单的清洁, 不需要
用丙酮、食人鱼溶液(H SO /H O ) 等处理, 这样既减少了操作步骤, 又避免了潜在的危险. 升温时直
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