超大规模集成电路技术基础6-7(完).ppt

黄君凯 教授 6.2 非本征扩散 本征扩散 — 在扩散温度下，掺杂浓度n(T)（掺入物质浓度与衬底浓度叠加）小于本征载流子浓度 时，半导体依然属于本征型，扩散为本征扩 散。 — P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理。 — 扩散系数与掺杂浓度无关。 非本征扩散 — 在扩散温度下，掺杂浓度n(T)（掺入物质浓度与衬底浓度叠加）超过本征载流子浓度 时，半导体变成了非本征型，扩散为非本征扩散。 — P型和N型杂质相继扩散或同时扩散之间相互作用并产生协同效应。 — 扩散系数与掺杂浓度相关。 黄君凯 教授 图6-5 本征与非本征扩散 黄君凯 教授 6.2.1 浓度相关的扩散系数（以空位机制下的慢扩散为例） （1）空位密度 ：单位体积内的空位数目。 式中 为本征空位密度， 和 分别是费米能级和本征费米能级。 【实验结论】扩散系数正比于空位密度。 【分析】 ■ 当 时， ， 与掺杂浓度无关，故扩散 系数与掺杂浓度无关。 ■ 当 时， （施主型）， 而与掺杂浓度有关， 故扩散系数与 掺杂浓度相关。 黄君凯 教授 （2）扩散系数与扩散浓度的关系 扩散系数的分布形式 ,（6-15） 式中 和 分别是表面浓度和表面处的扩散系数， 是相关性参数。 将式（6-15）代入扩散方程（6-2），可求得掺杂浓度分布的数值解。 掺杂浓度分布的数值解分析 图6-6 掺杂浓度分布 （恒定表面浓度扩散） ： 增大导致浓度的突变结分布 正常的余误差函数分布 ：浓度出现凹陷状分布 黄君凯 教授 6.2.2 扩散分布 （1）硅中的扩散 B和As在硅中的扩散： 突变结分布 Au和Pt在硅中的扩散： 凹陷状分布 P在硅中的扩散：拖尾分布使扩散系数远大于本征扩散系数。 图6-7 磷在硅中的扩散分布 高表面浓度时的突变结分布： 杂质与空位相互耦合产生离解，形成快扩散拖尾分布（可制造深结） 低表面浓度时的余误差分布 黄君凯 教授 （2）锌在GaAs中的扩散： 突变结分布 【注意】由于 ，因此在较低 时，扩散仍处于非本征区。 图6-8 锌在GaAs中的扩散分布 结深 线性正比于表面浓度 黄君凯 教授 6.3 横向扩散 二维扩散方程：垂直扩散（正常）和 横向扩散（侧面） （1）扩散系数与浓度无关时 — 恒定表面浓度扩散（参见右图） — 恒定杂质总量扩散： （2）扩散系数与浓度相关时 图6-9 横向扩散影响 黄君凯 教授 第7章 离子注入 7.1 注入离子的种类范围（离子注入原理） （1）基本概念 离子注入 利用高能离子束（能量： ）将掺杂剂离子（剂量： ）注入半导体（深度： ）的杂质掺入工艺 注入剂量 S 注入半导体表面 1 面积内的离子数量 射程 R 离子从进入半导体到停止所经历的总行程 投影射程 Rp 射程在入射轴上的投影 投射偏差 和 横向偏差 ：在投影射程方向的统计涨落 ：在入射轴垂直方向上的统计涨落（小于热扩散中的横向扩散） 黄君凯 教授 （2）基本的离子注入机 图7-1 离子注入机 离子分离器 弧光室 黄君凯 教授 7.1.1 离子分布（衬底为多晶硅或非晶硅） （1）沿入射轴分布的注入杂质浓度 n(x) 类似恒定杂质总量扩散的浓度高斯分布式（6-13），以 4Dt 并令坐标平移：