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阻变存储器电学特性探究 　　【摘 要】本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构，以1T1R为基本操作单元，针对阻变存储器的电学特性展开研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。 【关键词】RRAM；阻变存储器；电学特性 0 引言 随着现代半导体技术的发展，人们对于存储器的需求越来越高。传统的FLASH非挥发性存储器由于隧穿氧化层减薄，导致电荷保持性能下降。因此，新型非挥发性存储技术的研究越来越受到关注，如铁电存储器（FeRAM）、磁存储器（MRAM）、相变存储器（PRAM）、阻变存储器（RRAM）等。阻变存储器由于具有结构简单、集成密度高、功耗低、疲劳特性好、数据保持时间长、与CMOS工艺兼容等优点，被业界认为是下一代非挥发性存储器最有竞争力的候选者之一[1]。然而，阻变存储器在走向应用之前还要克服很多困难，其中关键一点便是提高其电学性能，例如操作电压、均一性、疲劳特性、数据保持特性等。 1 1T1R器件结构及工艺制备 对于阻变存储器（RRAM）集成技术而言，可以采用3种基本结构，即0T1R（one resistor）、1D1R（one diode one resistor）和1T1R（one transistor one resistor）。其中1T1R结构采用晶体管作选通开关，具有制造工艺成熟、泄露电流小等优点