模拟电子技术邱丽芳主编第1章半导体元件基础.pptVIP

目 录 目 录 * * 机床电气控制ppt * * 图1.45　N沟道增强型MOS管的结构与符号 符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（沟道），虚线表示增强型。 1.4 场效应管 （2）N沟道增强型MOS管的工作原理 如图1.46所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。 1.46　N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS 1.4 场效应管 （3）特性曲线 1）输出特性（漏极特性）曲线漏极特性曲线如图1.47所示。 图1.47　N沟道增强型MOS管的输出特性曲线 1.4 场效应管 2）转移特性曲线 图1.48　N沟道增强型MOS管的转移特性曲线 1.4 场效应管 2、耗尽型MOS管 （1）结构、符号与工作原理 耗尽型MOS管工作时，其栅源电压UGS可以为0，也可以取正值或负值，这个特点使其在应用中具有更大的灵活性。图1.49为N沟道耗尽型MOS管的结构与符号。 图1.49　N沟道耗尽型MOS管的结构与符号 1.4 场效应管 （2）特性曲线 图1.50为N沟道耗尽型MOS管的输出和转移特性曲线。 图1.50　N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线 1.4 场效应管 （3）绝缘栅场效应管的主要参数 1）直流参数 ① 开启电压UT