模拟电子技术吴荣海第1章半导体二极管三极管1章节.pptVIP

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  • 2017-11-22 发布于广东
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模拟电子技术吴荣海第1章半导体二极管三极管1章节.ppt

第一章 半导体二极管和晶体管 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 实训:二极管的识别与检测 1.5 晶体管 2、共射输出特性曲线 当iB取值不同时,就有一条不同的输出特性曲线,如右图所示。 输出特性四个区域的特点: 1)截止区 通常把iB=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区。e、b、c之间近似看成开路。 2)放大区 输出特性曲线中的平坦部分(近似水平的直线)称为放大区。此时iC ≈ βiB。 输出特性四个区域的特点: 3)饱和区 输出特性曲线中,uCE≤uBE的区域,即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。三极管各极之间近似看成短路。饱和时的uCE称为饱和压降,用UCE(sat)表示。 4)击穿区 击穿区位于图右上方,其中iB=0时的击穿电压U(BR)CEO称为基极开路时集-射极间击穿电压。 1.5.4 晶体管的主要参数 2. 极间反向电流 (1)集电极-基极反向饱和电流ICBO 发射极开路时集电结的反向饱和电流。其值很小,ICBO越小越好。 (2)穿透电流ICEO 基极开路时集电极和发射极间加上规定电压时的电流。由于ICEO=(1+β)ICBO,所以ICEO比ICBO大得多。 1.5.5 实训:三极管的识别与检测 1. 实

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