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第四节 半导体光伏型检测器件 1 光电池 2 光电二极管. 3 雪崩光电二极管 4 光电三极管 光电池的结构特点 光电池核心部分是一个PN结，一般作成面积大的薄片状，来接收更多的入射光。 受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保护作用 由于光子入射深度有限， 为使光照到PN结上，实际 使用的光电池制成薄P型或 薄N型。 工作原理 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电能的一种器件。 PN结的光生伏特效应： 3.特性参数 1）伏安特性 无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。 PN 结的伏安特性有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。 2)光电特性 光电池开路电压与入射光照度成对数关系，在弱光情况下短路电流与入射光照度成线性关系。在光照增加到一定程度后，输出电流达到饱和。 结论： 光电池用作探测器时：以电流源形式使用，负载电阻愈小，线性度越好，线性范围越广。 光电池用作大功率输出时：以电压源形式使用，负载电阻为RL＝RM时，可获得最大功率输出。 3）光谱特性（用单位辐射通量的不同波长的光分别照射时，光电池相对输出短路电流大小） 5）时间和频率响应 硅光电池是目前使用最广泛的光电池 4　光电