半导体物理_P-N结.ppt

例8：计算硅单边p+-n突变结的击穿电压．其ND＝5×1016cm-3． 解: 由下图可得到硅单边p+-n突变结的临界电场大约为5.7×105 V/cm. 然后由式 得到 结击穿 异质结 通过外延技术，在两种不同 半导体材料之间形成的结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 异质结 例9：考虑一理想突变异质结，其内建电势为1.6V．在半导体1和2的掺杂浓度为施主1×1016cm-3和受主3×1019cm-3，且介电常数分别为12和13．求在热平衡时，各材料的静电势和耗尽区宽度． 解: 在热平衡时(或V＝0)异质结的静电势和耗尽区宽度分别为 异质结 Thanks for listening 右图显示温度对硅二极管反向特性的影响．在低温时，产生电流占优势，且对于突变结(即W～VR1/2)，反向电流随VR1/2变化．当温度上升超过175℃，在VR≥3kT/q时，产生电流有饱和的趋势，扩散电流将占优． 电流－电压特性 在正向偏压下，电子由n区被注入到p区，而空穴由p区被注入到n区．少数载流子一旦越过结注入，就和多数载流子复合，且随距离呈指数式衰退，如图所示．这些少数载流子的分布导致在p-n结上电流流动及电荷储存。下面分析电荷储存对结电容的影响和偏压突然改变导致的p-n结的暂态响应. 被注入的少数载流子储存在中性n