半导体材料讲义--第四章 化合物半导体材料.ppt

第四章 化合物半导体材料 李斌斌 化合物半导体材料 III－V族化合物半导体材料 II－VI族化合物半导体材料 4.1 常见的III-V化合物半导体 III-V族化合物半导体性质 （1）带隙较大－－带隙大于1.1eV （2）直接跃迁能带结构 －－光电转换效率高 （3）电子迁移率高－－高频、高速器件 带隙和温度的关系 晶体结构 离子键和极性 共价键－－没有极性 离子键－－有极性 两者负电性相差越到，离子键成分越大，极性越强。 极性的影响 （1）解理面－－密排面 （2）腐蚀速度－－B面易腐蚀 （3）外延层质量－－B面质量好 （4）晶片加工－－不对称性 4.1.1 GaAS 能带结构 物理性质 化学性质 电学性质 光学性质 GaAs能带结构 直接带隙结构 双能谷 轻空穴和重空穴 带隙为1.42 eV GaAs物理性质 GaAs晶体呈暗灰色，有金属光泽 分子量为144.64 原子密度4.42×1022/cm3 GaAs化学性质 GaAs室温下不溶于盐酸，可与浓硝酸反应，易溶于王水 室温下，GaAs在水蒸气和氧气中稳定 加热到6000C开始氧化，加热到8000C以上开始离解 GaAs电学性质 电子的速度 有效质量越低，电子速度越快 GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3 用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快3~4倍 高频器件，军事上应用 本征载流子浓度 GaAs光学性质 直接带隙结构 发光效率比其它半导体材料要高得多，可以制备发光二极管，光电器件和半导体激光器等 4.1.2 GaAs的应用 GaAs在无线通讯方面具有众多优势 GaAs是功率放大器的主流技术 1）GaAs在无线通讯方面 砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传输使用的晶片，由于其频率高，传输距离远，传输品质好，可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音内容，符合现代远程通讯要求。 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的障碍。 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。 砷化镓与硅元件特性比较 GaAs非常适合高频无线通讯 2）GaAs是功率放大器的主流技术 砷化镓具备许多优异特性，但材料成本及良品率方面比不上硅，因基频部分以处理数字信号为主，内部组件多为主动组件、线路分布密集，故以细微化和高集成度纯硅CMOS制程为主。 手机中重要关键零部件功率放大器（Power Amplifier，PA），由于对放大功率的严格要求，因此使用GaAs制造将是最佳方式。 GaAs在无线通讯射频前端应用具有高工作频率、低噪声、工作温度使用范围高以及能源利用率高等优点，因此在未来几年内仍是高速模拟电路，特别是功率放大器的主流制程技术。 手机是促进GaAs IC市场增长的主要动力 根据Strategy Analytics的报告，手机仍将是促进砷化镓（GaAs）IC市场增长的主要动力。 2004年GaAs芯片市场29亿美元，2008年将达37亿美元 GaAs器件市场将继续主要依赖无线市场，手机市场是主要增长动力，2003年无线市场占GaAs器件总体需求的41%以上，来自汽车雷达等其它应用的需求将会增长，但2008年手机仍将至少占GaAs市场的33% 随着手机需求成长，以及每支手机所需PA从单频增为双频和三频，预计光手机这项需求，2008年GaAs芯片将达到30亿颗 国内外现状对比 3）GaAs还有更多的应用领域 光纤通信具有高速、大容量、信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，大于2.5G比特/秒的光通信传输系统，其收发系统均需要采用GaAs超高速专用电路。 随着光电子产业和自动化的发展，用作显示器件LED、测距、玩具、条形码识别等应用的高亮度发光管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器等均有极大市场需求，还有GaAs基高效太阳能电池的用量也十分大，对低阻低位错GaAs产业的需求十分巨大而迫切。 我国数十亿只LED管芯，所有的可见光激光器、高亮度发光管、近红外激光器等几乎都依靠进口，因此生产高质量的低阻GaAs单晶，促进LED管芯、可见光激光器、高亮度发光管和高效率高效太阳能电池的商品化生产，将有力地发展我国民族的光电子产业。 4.1.2 InP 1910年，蒂尔合成出InP，是最早制备出来的III-V族化合物； InP单晶体呈暗灰色，有金属光泽 室温下与空气中稳定，3600C下开始离解 InP特性 高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超