MOS晶体管模型与CMOS模拟电路基础.pptVIP

2008-3-19 129 微电子学系 = 96.8mV RD 2 RSS + 1 ( 2 gm ) 例题 (b) gm = 2μn Cox (W L ) I D1 = 1 ( 632Ω ) ≈ (1/ 600Ω) AV = gm RD → RD = 3.16K Ω Vout ,CM = VDD ? I D RD = 1.42V 输出信号的半边幅值为1.42V-(1.73-0.6)V=290mV (c) ΔVX ,Y = ΔVin ,CM 新的Vout ,CM = 1.42 ? 0.0968 = 1.323V 新的允许的输出最小电压为1.73 + 0.05 ? 0.6 = 1.18V 输出信号的半边幅值变为1.323 ? 1.18 = 143mV 2008-3-19 130 微电子学系 减小输出摆幅 2008-3-19 131 微电子学系 共模响应：考虑电路不对称和尾电流源的影响 ACM－DM表示共模到差模的转换，简称为“共模增益” = ? Δg m RD (g m1 + g m 2 )RSS + 1 ACM ? DM 用所希望的差动增益与不希望的共模增益的比值来衡量对 共模扰动的抑制能力。定义“共模抑制比”（CMRR）如下 ADM ACM ? DM CMRR = R 其中，gm = ( gm1 + gm 2 ) 2；Δgm = gm1 ? gm 2 2008-3-19 132 微电子学系 2. MOS为负载的差动对 （a）以二极管连接的MOS为负载的差动对；（b）电流源负载的差动对 rON gmN gmP ?1 mP Av = ? gmN ( g rOP ) ≈ ? ) Av = ? g mN (rON rOp 2008-3-19 133 微电子学系 附加电流源以提高电压增益 通过减小电流的方法而不是减小寛 长比的方法降低负载器件的gm。 流过M5和M6的电流是M1和M2的80％，则对于相同的PMOS过驱 动电压，M3和M4的跨导降低了4/5，差动增益是原来的5倍。 2008-3-19 134 微电子学系 共源共栅差动对 （a）共源共栅差动对；（b）电路的半边电路 Av ≈ gm 1[( gm 3 ro 3 ro1 ) || (gm 5ro 5 ro 7 )] 增益大大提高，但代价是要消耗更多的电压余度。 2008-3-19 135 微电子学系 3. 电流镜为负载的差动对 (1)大信号输出－输入特性 2008-3-19 136 微电子学系 例3.19 假设电路完全对称，当从3V变化到0V时，概略画出图 3.129(a)中电路输出电压的草图。假设＝3V时，所有的器 件都处在饱和区 2008-3-19 137 微电子学系 (2)小信号分析 计算Av=GmRout 因为ID1=|ID3|=|ID4|=gm1,2Vin/2，ID2=-gm1,2Vin/2 Iout=-gm1,2Vin，所以|Gm|=gm1,2 Rout为从Y结点看入的阻抗，所以 Rout=(rO2||rO4) 假设2rO1,2(1/gm3)||rO3 Y 带有源负载的差动放大器 或者带有源电流镜的差动对 所以，|Av|=GmRout=gm1,2(rO2||rO4) = + 1? = Vout A0 ? 1 ? A0 (2 + s / ωP 2 ) Vin P1 ? 1 + s / ωP 2 1 + s / ω (1 + s / ωP1 )(1 + s / ωP 2 ) 2008-3-19 139 微电子学系 4. 差动放大器的频率特性(差动信号和共模信号 的响应) (rON 1 rOP )C L ω P1 ≈ g mP C E ≈ ω P 2 电路由“慢通路”（M1,M3和M4）和“快 通路”（M1和M2）并联而成。如果分别 用 A0/[(1+s/ωP1)(1+s/ωP2)]和 A0/(1+s/ωP1) 表示这两通路的传输函数，则由两个通 路的叠加得到 ? ? sz = ?2ωP 2