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康华光《电子技术基础 ·模拟部分》名校真题精讲及典型题分类解析 第一部分　半导体器件及其电路 一、填空题： １．半导体中有　　　　两种载流子。 答案：自由电子和空穴 ２．在Ｐ型半导体中，多数载流子是　　　　；在Ｎ型半导体中，多数载流子是　　　　。 答案：空穴，自由电子 ３．在ＰＮ结不加外部电压时，扩散电流　　　　漂移电流，此时ＰＮ结中的电流　　　　。 答案：等于，等于零 ４．在ＰＮ结外加正向时，扩散电流　　　　漂移电流，空间电荷区的宽带　　　　 。 答案：大于，变窄 ５．二极管的正向电阻　　　　，反向电阻　　　　。 答案：小，大 ６．三极管起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度　　　　；基区杂质浓度比发射区杂质浓度 　　　　，基区宽带　　　　；集电结面积比发射结面积　　　　。 答案：高；低，窄；大 ７．三极管工作在饱和区时，发射结为　　　　，集电结为　　　　；工作在放大区时，发射结为　　　 　，集电结为　　　　。此时，流过发射结的电流主要是　　　　，流过集电结的电流主要是　　　　。 答案：正偏，正偏；正偏，反偏；扩散电流，漂移电流 ８．ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管的区别是　　　　。 答案：Ｐ区和Ｎ区的位置不同 ９．Ｎ型半导体是在本征半导体中掺入　　　　元素，其多数载流子是　　　　，少数载流子是　　　　。 答案：五价；自由电子；空穴 １０．双极型晶体管有　　　　和　　　　两种类型。晶体管主要有　　　　、　　　　和　　　　 三个工作区。 答案：ＮＰＮ；ＰＮＰ；放大、饱和、截止 １１．场效应管属于　　　　控制器件。场效应管从结构上分成　　　　和　　　　两大类。 答案：电压、结型（ＪＦＥＴ）、绝缘栅型（ＭＯＳＦＥＴ） １２．场效应管的输入电阻　　　　，漏极电流Ｉ主要受　　　　控制。 Ｄ 答案：较大、栅源电压Ｕｇｓ １ １３．场效应管跨导ｇ表示　　　　对漏极电流Ｉ的控制能力的强弱。 ｍ Ｄ 答案：栅源电压Ｕｇｓ １４．绝缘栅型场效应管（ＭＯＳＰＥＴ）又分为　　　　和　　　　，二者的区别是　　　　。 答案：增强型、耗尽型，耗尽型有原始沟道而增强型没有原始沟道。 １５．场效应管的漏极电流Ｉ与栅极电压Ｕｇｓ为　　　　关系晶体管的Ｉ与ｕ为　　　　关系 Ｄ Ｃ ｂｅ 答案：平方律、指数 二、选择题 １．在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为　　　。 Ａ．本征半导体　　　　　　Ｂ．Ｐ型半导体　　　　　　Ｃ．Ｎ型半导体　　　　　　Ｄ．半导体 答案：Ｂ ２．少数载流子是空穴的半导体是　　　。 Ａ．本征半导体中掺入三价元素，是Ｐ型半导体 Ｂ．本征半导体中掺入三价元素，是Ｎ型半导体 Ｃ．本征半导体中掺入五价元素，是Ｎ型半导体 Ｄ．本征半导体中掺入五价元素，是Ｐ型半导体 答案：Ｃ ３．ＰＮ结加正向电压时，其正向电流是由　　　形成的。 Ａ．多数载流子扩散 Ｂ．多数载流子漂移 Ｃ．少数载流子扩散 Ｄ．少数载流子漂移 答案：Ａ ４．如果ＰＮ结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则　　　。 Ａ．阻挡层不变，反向电流基本不变 Ｂ．阻挡层变厚，反向电流基本不变 Ｃ．阻挡层变窄，反向电流增大 Ｄ．阻挡层变厚，反向电流减小 答案：Ｂ ５．根据图中已标出各晶体管电极的电位，判断处于饱和状态的是　　　。 答案：Ａ ６．场效应管主要优点是（　　）。 Ａ．输出电阻小； Ｂ．输入电阻大； ２