浙江传媒学院《模电子技术》期终试卷（A卷）.docVIP

浙江传媒学院《模拟电子技术》期终试卷（A卷） 2005–2006学年第 任课教师 系 班 姓名 学号 得分 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示，当输入电压Ui=9V时，输出电压Uo为( )。 A.3V B.6V C.9V D.15V 2.三极管的主要参数Iceo的定义是( )。 A.集电极—发射极反向饱和电流 B.集电极—基极反向饱和电流 C.集电极最大允许电流 D.集电极—发射极正向导通电流 3.场效应管的转移特性如下图，则该管为( )。 A.Ｎ沟道耗尽型FET B.Ｎ沟道增强型FET C.Ｐ沟道耗尽型FET D.Ｐ沟道增强型FET 4.普通硅二极管的死区电压为( )。 A.0.1V B.0.2V C.0.5V D.1.0V 5. P型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。 A. 3 B. 4 C. 5 D. 6 6. 某三极管处于放大工作状态，则其发射结和集电结的