一种基于InSb磁敏电阻器接近开关.pdfVIP

118 传感器与微系统 (TransducerandMicrosystemTechnologies) 2011年 第30卷 第 10期 一 种基于 InSb磁敏 电阻器的接近开关 秦玉伟 (渭南师范学院物理与电子工程系，陕西 渭南 714000) 摘 要 ：介绍了锑化铟 (InSb)磁阻式接近开关的工作原理，设计了信号处理电路，并对其动态性能进行了 测试。实验结果表明：径向间距为4film时，接近开关动作距离大于8mm，回差距离小于0．06mm，重复定 位精度优于0．04mm，可适用于工作频率0-5kHz范围内的铁磁性物质检测。该接近开关灵敏度高，开关 动态特性较好，且结构简单，成本低 ，可以实现规模化生产。 关键词 ：接近开关 ；磁敏电阻器；锑化铟 中图分类号 ：TP212 文献标识码：A 文章编号：1000-9787(2011)10-0118-02 A proximityswitchbasedon InSbmagneto—resistor QINYu—wei (DepartmentofPhysicsandElectronicEngineering，WeinanTeachersUniversity，Weinan714000，China) Abstract：TheworkingprincipleofInSbmagnetoresistiveproximityswitch isintroduced．Thesignalprocessing circuitisdesigned andthedynamiccharacteristicsismeasured．Theexperimentalresultshowsthattheaction— distanceoftheproximityswitch ismorethan8inn whentheradialdistanceis4mil1．Thehysteresis—distancecan belimitedin0．06rain．Therepeatinglocation precision ispriorto0．04mm．Itcanbeused forferromagnetic substancemeasuringofworking~equencyfrom 0to5kHz．Theproximityswitchhashighsensitivity，finedynamic characteristics，simpleconstructionandlow cost．Itcanbeproducedofralargescale． Keywords：proximityswitch；magneto—resistor(MR)；indium—antimonide(InSb) 0 引 言 基本原理是基于磁阻效应，即当通有电流的半导体材料置 接近开关是一种电子开关量传感器 ，主要功能是完成 于磁场中且磁场方向与电流方向垂直时，由于洛仑兹力的 对位置的检测，将位置量转换成开关量电信号输出，实现对 作用使载流子的运动方向发生偏转 ，加长了载流子运动路 负载的控制或信号的转换与传递。当物体靠近接近开关的 径 ，增大了材料的电阻率，即电阻增大。当载流子 (电子和 感应面，达到接近开关动作距离时，无需机械接触就可使接 空穴)迁移率相差悬殊时，电阻率的变化用下式表示 近开关动作，从而驱动交流、直流电器或给计算机装置提供 (P --p0)／p0=0．275 ， (1) 控制指令。接近开关既具有行程开关和微动开关的特性 ， 式中 B为外加磁场的磁感应强度 ，P ，P。为磁感应强度分 又具有传感器的性能，其动作可靠、性能稳定 、抗干扰能力 别为B和0时半导体材料的电阻率