觸控技術發展.ppt

大綱 雜訊的戰爭 單層結構與雙層結構的戰爭 自電容與互電容之戰 OGS 與 In cell 之戰 大尺寸與小尺寸之戰 ITO 與 metal mesh 之戰 Cost Down 之戰 觸控專利大戰 SuperC-Touch 進度報告 完成的實驗進度 192 channels 測試用觸控IC完成 Single layer on cell 測試完成 開始挑戰觸控的最終極目標 雜訊的戰爭 雜訊的分類 雜訊與觸控偵測技術的關係 雜訊的對策 SNR vs RSNR 雜訊與複雜理論 雜訊的分類 動態雜訊 頻率較高，電路所產生，瞬間的變化大，平均變化小 靜態雜訊 頻率較低，靜電所產生，導體的運動影響大，瞬間變化小，平均變化大 雜訊與觸控偵測技術的關係 與定電流充放電的關係 動態，靜態雜訊影響都大 與電荷移轉的關係 動態雜訊影響小，靜態雜訊影響大 與差動技術的關係 動態，靜態雜訊影響都小 對面板生產的一致性要求高 雜訊的對策 濾波，平均法 跳頻 條件過濾法 靜音，安靜區段使用 差動輸入 SNR vs RSNR SNR 訊號與雜訊的比值 RSNR 相對訊號與雜訊的比值 當觸控面板遠離LCD時 SNR與RSNR相當 此時SNR大於50以上時都已夠用，100或1000沒有太大的意義 當觸控面板接近LCD，on cell ，in cell時 ，RSNR 才有意義，SNR已經不重要。 雜訊與複雜理論 兩人成伴，三人成亂 有許多相互影響的個體所形成的系統 個體行為會產生反饋影響 系統是開放的 系統會有突現現象 系統會出現有序，無序的混雜局面 失序是常態，局部會出現有序的現象 有序才是關鍵 複雜系統討論的重點不是失序而是突現現象突現現象是無法預期也無法經由控制來產生但是突現現象的影響力與規模卻相當可觀 帶電物體彼此之間的互動絕對是複雜系統互動與環境的改變會產生突現現象這個無法解釋與預期的電荷突現現象通常被作為雜訊來解釋 單層結構與雙層結構的戰爭 表面電容(單層) Vs 電阻式觸控(雙層) 單層結構與雙層結構的戰爭 菱形跨橋(單層) Vs Apple Tx， Rx結構(雙層) 單層結構與雙層結構的戰爭 Apple in cell 與全出Pin結構(單層) Vs Sony Mix 結構(雙層) Single layer on cell Single layer on cell Single layer on cell 光學特性 ***** 強度 ***** 厚度 *** (無法減薄) 重量 ***** 觸控準確度 **** 對觸控IC要求度 * 成本 **** (配合IPS shield) 良率 **** 產能 **** Sony mix Type on/in cell Sony mix Type on/in cell 光學特性 ***** 強度 ***** 厚度 *** (無法減薄) 重量 ***** 觸控準確度 ***(用於IPS時液晶電容雜訊) 對觸控IC要求度 ** 成本 **** 良率 **** 產能 **** Apple’s TW Patent 201031961 A1 申請日　２０１０－２－２ 優先日　２００９－２－２ 名稱　：整合型觸控螢幕 　Iphone 5 使用的In cell 技術 Apple in cell 光學特性 ***** 強度 ***** 厚度 ***** 重量 ***** 觸控準確度 ** 對觸控IC要求度 *** 成本 * 良率 * 產能 * 自電容與互電容之戰 自電容的結構一 面結構 自電容的結構二 線結構 自電容的結構三 點結構 互電容的結構一 雙層結構 互電容的結構二 菱形跨橋結構 點自電容 與 互電容的比較 都可以做多點觸控 自電容的位置準確度高於互電容 自電容的靈敏度高於互電容 自電容式很容易做成 single layer 當尺寸變大時 自電容的點數會快速增加，觸控IC接腳越多，成本越高 中央的點線路會走不出來 走線越細ITO電阻越大 點數越多須要越多的時間掃瞄 OGS 與 In cell 之戰 OGS終究比內嵌式要多一層ITO 所以透光度差5～10% 反射率差5~10% 成本差20~50% ITO圖案化會產生moire現象 貼合良率會差一些 產品