第八节 半导体 Semiconductor.pptVIP

8.10 半导体制备技术 一、单晶制备技术 二、薄膜制备技术 8.11 半导体材料简介 锗、硅半导体材料 锗和硅的一般物理性质 锗和硅的能带结构参数 注： mo是电子的惯性质量。 （单位：eV，以价带顶为能量原点） 锗、硅中的浅杂质能级 （单位：eV，以价带顶为能量原点） 硅中过渡族元素杂质能级 注：括号中的A和D分别表示受主和施主 位错密度与硅和锗中载流子寿命的关系 四、载流子浓度与温度的关系 五、电阻率与温度的关系 8.7 半导体光吸收 一、直接带隙半导体的本征吸收 二、间接带隙半导体的本征吸收 三、半导体其它光吸收机制 四、半导体其它光吸收机制 五、半导体的光电导 8.8 半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 电子 空穴 两种载流子的霍尔效应示意图 --- 在洛伦兹力的作用下，在垂直于的样品端面上就会形成电荷累积，形成霍尔电场； --- 电子或空穴受到两个力的作用，一是磁场中的洛伦兹力；一是霍尔电场中的电场力； --- 达到平衡时，必然是洛伦兹力同电场力相等，所以有： 二、半导体的磁阻效应 8.9 半导体界面特性 一、p-n结 二、半导体－金属接触：肖脱基势垒 二、半导体－金属接触：Ohm接触 二、半导体－金属接触 几种常见金属的功函数（单位：eV） 三、MIS结构，Metal-Isolator –Semiconductor (MIS) 第八节 半导体 Semiconductor 8.1 典型的半导体能带结构 8.3 半导体的掺杂 本节主要内容: 8.4 热平衡载流子分布 8.5 非热平衡载流子分布 8.2 半导体载流子的有效质量 8.6 半导体的导电性质 8.7 半导体光吸收 8.8 半导体的磁学性质 8.11 典型半导体材料的能带结构 8.9 半导体界面特性 8.10 半导体制备技术 8.1 典型的半导体能带结构 8.2 电子的有效质量 ? 价带顶附近的有效质量为负 ? 导带底附近的有效质量为正 8.3 半导体的掺杂 一、施主掺杂 施主能级和施主电离示意图 二、受主掺杂 Si中掺B后的共价键网络示意图 利用类氢原子模型可以得到 8.4 热平衡载流子分布 一、导带上的电子浓度 若导带底可以近似为抛物线 f(E) - 在热平衡时，能量为E的状态被电子占据的概率 二、价带上的空穴浓度 三、质量作用定律 －这一规律与半导体的种类没有关系，适用于本征、施主和杂质半导体 四、本征半导体 导带上的电子浓度与价带上的空穴浓度必然相等 本征半导体费米能级与温度的关系为 温度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响 禁带宽度对本征半导体载流子密度在能带中的分布的影响 五、施主半导体 由于导带上的电子载流子的浓度是本征激发和施主电离二者共同贡献的，所以可得电中性方程： 施主半导体费米能级 数值求解上述方程可以得到施主半导体的费米能级 六、受主半导体 由于价带上的空穴子载流子的浓度是本征激发和受主电离二者共同贡献的，所以可得电中性方程： 数值求解上述方程可以得到受主半导体的费米能级 七、半导体的费米能级 8.5 非热平衡载流子分布 8.6 半导体的导电性质 一、半导体的导电机制 二、载流子的迁移率 三、载流子的散射 ---- 电离杂质的散射 ---- 声子的散射