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展讯SDRAM高级教程-SC6800H EMC 及SDRAM 专题培训
SC6800H EMC 及 SDRAM 专题培训
Version: 3.2
Date: 2011-07-08
GSM FAE SZ
Yongjun.Zang
前 言
文档说明
本文档为展讯 SC6800H EMC 及 SDRAM 专题培训资料。
阅读对象
本文档针对于所有 SC6800H 平台驱动工程师及硬件工程师。
内容介绍
本文档包括四个章节,分别为:
第一章:SDRAM 工作原理和时序分析
第二章:SC6800H EMC 简介
第三章:SC6800H EMC 寄存器介绍
第四章:SC6800H SDRAM 客户化配置
第五章:SC6800H EMC 常见问题分析
问题反馈
本文档涉及的内容比较多,难免有错误和遗漏之处。如果有任何的疑问,请联系
yongjun.zang@ 。
目 录
第 1 章 SDRAM 工作原理和时序分析 1-6
1.1 常见 RAM 分类 1-6
1.2 常见 SDRAM 分类 1-6
1.3 SDRAM 的重要概念1-7
1.3.1 L-Bank 1-7
1.3.2 位宽 1-7
1.3.3 存储容量 1-7
1.4 SDRAM 的外部信号1-8
1.5 SDRAM 的内部结构1-9
1.6 SDRAM 的基本命令1-10
1.6.1 Initialize 1-11
1.6.2 Load Mode Register1-11
1.6.3 Row Active 1-12
1.6.4 Column1-13
1.6.5 Read 1-14
1.6.6 Write1-14
1.6.7 Burst1-15
1.6.8 Precharge1-16
1.6.9 Auto Refresh 1-17
1.6.10 Self Refresh1-18
1.6.11 DQM 1-18
1.7 SDRAM 的时序参数1-19
1.7.1 tMRD(Mode Register Delay)1-19
1.7.2 tRP(Row Precharge Time / PRECHARGE to ACTIVE delay) 1-19
1.7.3 tRCD(RAS to CAS Delay / ACTIVE to READ/WRITE delay)1-19
1.7.4 tCL(CAS Latency)1-20
1.7.5 tWR(Write Recovery Time)1-20
1.7.6 tRAS(Row Active Time / Active to Precharge Delay)1-20
1.7.7 tRRD(Row to Row Delay / RA
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