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模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronic 第3章 半导体二极管及其基本应用 第3章 半导体二极管及其基本应用 §3.2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 微变等效电路 下限限幅电路是在输入电压低于某一下限电平时产生限幅作用。 双向限幅电路则在输入电压过高或过低的两个方向上均产生限幅作用。 例 ：电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 二极管的V- I 特性的建模 一、理想二极管模型 V-I 特性 uD iD S S 正偏导通，管压降为0，相当于开关的闭合。 反偏截止，电流为0，电阻为无穷，相当于开关的断开。 适用于精确度要求不高时，分析大信号工作条件下的电流、电压大小。 二、二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.3 V (Ge) 二极管导通后，其管压降可认为是恒定的，且不随电